[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201320118046.4
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203481240U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: O.布蘭克;W.里格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;李浩

1.一種半導體器件,?其特征在于,?所述器件包括:

半導體本體;

所述半導體本體中的單元區域，其中所述單元區域包括至少一個溝槽場效應晶體管結構，所述結構包括：

???????與半導體本體的第一表面鄰接的第一導電類型的漏極區（300）；

???????位于所述漏極區上的第一導電類型的漂移區（302）；

???????與半導體本體的第二表面鄰接的第一導電類型的源極區（330）；

???????形成在所述源極區（330）與所述漂移區（302）之間的具有與所述第一導電類型互補的第二導電類型的本體區（325）;?

???????縱向延伸穿過所述源極區（330）與所述本體區（325）并進入所述漂移區（302）的溝槽,?其中形成所述溝槽使得所述源極區和所述本體區在橫向上比所述漂移區寬;

???????形成在所述溝槽中的第一場板（315）和其上的柵極區（320），其中所述第一場板（315）和所述柵極區（320）彼此以絕緣層(346)絕緣,所述柵極區(320)與圍繞的半導體本體以柵氧化物(351)絕緣，并且所述第一場板（315）與圍繞的半導體本體以柵氧化物（305）絕緣，其中溝槽底部的場氧化物比溝槽側壁的場氧化物厚；

位于所述半導體本體第二表面上的層間介電層；以及

延伸穿過所述層間介電層中的接觸孔并且電連接到所述源極區和本體區的源極金屬化層（345）。

2.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述溝槽底部的最厚點的場氧化物比所述溝槽側壁的最薄點的場氧化物至少厚5%。

3.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述半導體器件進一步包括圍繞所述單元區域的邊緣區域，在所述邊緣區域中提供終止溝槽（310），其具有未凹陷入所述溝槽的第二場板（316）。

4.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述源極區與本體區的寬度比下方的所述漂移區至少增大10%。

5.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一場板電連接至所述源極金屬化層。

6.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一場板電連接至柵極金屬化層。

7.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?如果所述單元區域包括多于一個溝槽場效應晶體管結構，所述第一場板部分電連接至柵極金屬化層，并且部分電連接至所述源極金屬化層。

8.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一場板浮置。

9.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一場板（315）和所述柵極區（320）均由多晶硅形成。

10.如權利要求1-9之一所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一導電類型為n型，因此所述半導體器件構成n-MOSFET。

11.如權利要求1-9之一所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一導電類型為p型，因此所述半導體器件構成p-MOSFET。