[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201320118023.3
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203250745U
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: M.波爾茲爾;R.西米尼克;M.羅施
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李浩

1.一種半導體器件，包括：

第一導電型的漂移層(4)；

在所述漂移層(4)上的第二導電型的體區(7)；

在所述體區(7)上的第一導電型的源區(8)；

溝槽結構(9)，其貫穿所述源區(8)、體區(7)并且延伸到所述漂移層(4)中，所述溝槽結構包括絕緣結構(10)以及場板(13)和/或柵電極(12)，

其中，絕緣結構(10)的至少一部分是厚度漸變的。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣結構(10)的所述部分下部比上部寬度寬。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣結構(10)的所述部分與場板(13)的側壁相鄰。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣結構(10)的所述部分與柵電極(12)的側壁相鄰。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件，其中，所述溝槽結構(9)下部比上部寬度寬。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵電極(12)被設置在所述場板(13)上并且經由所述絕緣結構(10)與所述場板(13)?絕緣。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述絕緣結構(10)使所述場板(13)和所述柵電極(12)與所述漂移層(4)、體區(7)以及源區(8)?絕緣。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括所述體區中的第二導電型的重摻雜區(5)。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述場板(13)被連接至源極端子。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述場板(13)被連接至柵極端子。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述漂移層(4)的摻雜密度從溝槽底部向所述漂移層(4)與所述體區(7)之間的pn結增加。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述體區(7)和/或源區(8)具有大于相鄰溝槽結構之間的所述漂移層(4)的一部分的寬度。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述體區(7)和/或源區(8)的寬度比所述漂移層(4)的所述部分的寬度大絕緣結構的平均寬度的至少75%。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述體區(7)和/或源區(8)的寬度比所述漂移層(4)的所述部分的寬度大不超過100%絕緣結構的平均寬度。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述漂移層(4)中的所述溝槽結構(9)的一部分具有比所述漂移層(4)的所述部分的寬度更寬的寬度。

16.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述漂移層的摻雜濃度的垂直最小值在場板底部和溝槽底部之間。