[實用新型]高頻放大器、半導體器件及具有該半導體器件的系統有效
| 申請號： | 201320117687.8 | 申請日： | 2013-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN203243283U | 公開（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發明（設計）人： | 竹中功 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H03F3/189 | 分類號： | H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 陳偉 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高頻放大器 半導體器件 具有 系統 | ||
1.一種高頻放大器，其特征在于，包括：?
第1晶體管，其源極接地；?
第2晶體管，其與所述第1晶體管構成柵地-陰地放大器電路；?
串聯電路，其連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間，且第1電阻元件及串聯共振電路串聯連接；以及?
第2電阻元件，其與所述串聯電路并聯連接。?
2.根據權利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，?
所述串聯共振電路由LC電路構成，?
所述串聯電路在LC元件之間含有所述第1電阻元件。?
3.根據權利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，?
所述串聯共振電路由LC電路構成，?
所述串聯電路在接地側含有所述第1電阻元件。?
4.根據權利要求2所述的高頻放大器，其特征在于，?
所述高頻放大器含有各LC元件的值不同的多個所述串聯電路，各個所述串聯電路連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間。?
5.根據權利要求3所述的高頻放大器，其特征在于，?
所述高頻放大器含有各LC元件的值不同的多個所述串聯電路，各個所述串聯電路連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間。?
6.根據權利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，?
在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≤R2＜30/gm。?
7.根據權利要求2所述的高頻放大器，其特征在于，?
在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≤R2＜30/gm。?
8.根據權利要求3所述的高頻放大器，其特征在于，?
在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≤R2＜30/gm。?
9.根據權利要求4所述的高頻放大器，其特征在于，?
在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≤R2＜30/gm。?
10.根據權利要求5所述的高頻放大器，其特征在于，?
在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≤R2＜30/gm。?
11.根據權利要求1至10中任一項所述的高頻放大器，其特征在于，?
所述第1晶體管是GaAsMESFET或者GaAs異質結FET，所述第2晶體管是GaNFET。?
12.一種半導體器件，具有權利要求1至11中任一項所述的高頻放大器。?
13.一種具有半導體器件的系統，構成為具有兩個權利要求12所述的半導體器件，且使兩個所述半導體器件推挽工作。?
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