[實用新型]一種AZO平面靶

有效

• 申請號: 201320117158.8
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203238323U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 程會倫;趙小軍;虞輝;覃雪峰
• 申請（專利權）人: 漳州市合縱鍍膜材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及光電材料，尤其涉及一種AZO平面靶。

背景技術

靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料，作為真空磁控濺射鍍膜的原材料，其主要使用在微電子、顯示器，存儲器以及光學鍍膜等產業上。在現有技術中，AZO靶材通常是六方纖鋅礦結構?，或者是巖鹽礦結構，還有的是閃鋅礦結構，上述已有結構的缺點在于結構不穩定，容易發生轉變；氧化鋁不能均勻地分散在氧化鋅基底里面，使濺射出來的薄膜性能不穩定。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種AZO平面靶。

為實現上述目的，本實用新型AZO平面靶的技術方案是：以氧化鋅和氧化鋁為原料，形狀為長方體，所述長方體的長度為100～330mm、寬度為100～330mm、高度為5～20mm。

本實用新型AZO平面靶的優點及突出效果是：該AZO平面靶的致密度高，達到99%，電阻率低于1*10^-4Ω.cm，結構穩定，成分分散均勻，有利于提高薄膜性能穩定性。

附圖說明

圖1為本實用新型AZO平面靶的結構示意圖。

下面結合附圖及其體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型AZO平面靶以氧化鋅和氧化鋁為原料，形狀為長方體，所述長方體的長度為100～330mm、寬度為100～330mm、高度為5～20mm。所述AZO平面靶的最佳尺寸是：長度為200mm、寬度為150?mm、高度為16?mm。該AZO平面靶的致密度高，達到99%，電阻率低于1*10^-4Ω.cm，結構穩定，成分分散均勻，有利于提高薄膜性能穩定性。