[實(shí)用新型]一種可負(fù)壓關(guān)斷的變壓器隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320114803.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203135829U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫澤昌;王代壯;戴海峰;朱建功 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03K17/687 | 分類號(hào): | H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 吳林松 |
| 地址: | 200092 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可負(fù)壓關(guān)斷 變壓器 隔離 柵極 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種功率MOSFET/IGBT等絕緣柵器件的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(MOSFET)與絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等絕緣柵型半導(dǎo)體元件在開(kāi)關(guān)電源、逆變器等各種電力電子電路中得到廣泛應(yīng)用。但是,功率MOSFET/IGBT存在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗(為表述方便,下文只以功率MOSFET為例來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型,但是應(yīng)當(dāng)理解,所述內(nèi)容也同樣適用于IGBT)。為了降低電路的損耗,功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路必需滿足:(1)觸發(fā)脈沖要有足夠快的上升和下降速度,開(kāi)通瞬間能提供足夠大的灌電流,關(guān)斷時(shí)能提供阻抗盡可能低的柵源極間電容泄放回路以降低開(kāi)關(guān)損耗;(2)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路要能保證足夠大且穩(wěn)定的柵源極間電壓,降低導(dǎo)通損耗;(3)關(guān)斷期間柵源極間有一定的負(fù)壓,避免干擾產(chǎn)生誤導(dǎo)通;(4)驅(qū)動(dòng)電路盡可能的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,損耗小,體積小,成本低,易于集成化,必要時(shí)要有隔離。
現(xiàn)有的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路主要分為三類:直接驅(qū)動(dòng)、自舉電路驅(qū)動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)。直接驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)特性好,但是不適用于功率MOSFET的源極浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)。自舉電路驅(qū)動(dòng)利用自舉電容的升壓原理,已經(jīng)集成化,適用于功率MOSFET的源級(jí)浮動(dòng)驅(qū)動(dòng),由于集成電路的優(yōu)勢(shì),驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,功能強(qiáng)大,但是需要二次電源,占空比不能達(dá)到100%,有信號(hào)延遲,工作頻率一般不超過(guò)1Mhz。隔離驅(qū)動(dòng)分為光耦隔離驅(qū)動(dòng)和變壓隔離驅(qū)動(dòng)。光耦隔離驅(qū)動(dòng)體積小,易于集成化,但是響應(yīng)慢,延遲大,適合工作在低頻;變壓器隔離驅(qū)動(dòng)速度快,延遲小,但是具有漏感和磁飽和的現(xiàn)象,適合工作在高頻。
變壓器隔離驅(qū)動(dòng)按照次級(jí)電路的能量利用方式分為四種:直接耦合式、二次電源式、自給電源調(diào)制式和蓄能電容式。其中,直接耦合式的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率直接來(lái)自于變壓器的原邊,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但是上升、下降速度較慢,開(kāi)關(guān)損耗大。二次電源式的驅(qū)動(dòng)功率來(lái)自于二次側(cè)的電源,變壓器原邊只傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào),可以得到很好地驅(qū)動(dòng)波形,但是需要獨(dú)立的二次側(cè)電源,結(jié)構(gòu)成本響應(yīng)增加。自給電源調(diào)制式的驅(qū)動(dòng)能量來(lái)自于變壓器副邊,是國(guó)外普遍采用的形式,已經(jīng)集成化。以美國(guó)Unitrode公司的UC3724/UC3725芯片對(duì)為典型代表,其中UC3724用來(lái)產(chǎn)生高頻載波信號(hào),經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到UC3725,UC3725將高頻調(diào)制波解調(diào)后得到驅(qū)動(dòng)信號(hào),同時(shí)將其整流成直流電壓用以提供驅(qū)動(dòng)功率。這種驅(qū)動(dòng)電路發(fā)熱較重,適用于頻率低于100Khz的情況,特別是占空比變化頻繁、頻率調(diào)制的場(chǎng)合,但是芯片價(jià)格較高,且低頻需要的變壓器體積較大。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種可負(fù)壓關(guān)斷的變壓器隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的解決方案是:
一種可負(fù)壓關(guān)斷的變壓器隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路,包括實(shí)現(xiàn)輸入波形耦合傳遞和還原的變壓器隔離單元、增大所述電路驅(qū)動(dòng)功率的功率放大單元以及在關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生負(fù)壓的負(fù)壓?jiǎn)卧?/p>
所述變壓器隔離單元包括電容C1、電阻R1、二極管D1、脈沖變壓器T、電容C2、二極管D2以及電阻R2;其中,二極管D1、電阻R1和電容C1串聯(lián)在變壓器T的原邊繞組上;二極管D1的正極與變壓器T的原邊繞組的一端相連,負(fù)極與電阻R1相連,電容C1的一端連接變壓器T原邊繞組的另一端,另一端連接原邊匹配電阻R1;電阻R2與電容C2并聯(lián)后,整體再與二極管D2串接在變壓器T的副邊,其中二極管D2的正極與變壓器T的副邊繞組的一端相連,負(fù)極與電容C2和電阻R2的并聯(lián)節(jié)點(diǎn)相連;二極管D1的兩端作為所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入端。
所述功率放大單元包括二極管D3、電容C3、電阻R3、NPN型晶體管Q1以及PNP型晶體管Q2;其中,晶體管Q1和Q2組成圖騰柱電路,晶體管Q1與Q2的基極與二極管D3的正極相連后一起連接到電阻R2和電容C2的并聯(lián)節(jié)點(diǎn)上,二極管D3的負(fù)極連接晶體管Q1的集電極;電阻R3連接晶體管Q2的基極和集電極。
所述功率放大單元還包括兩端分別連接晶體管Q1的集電極和Q2的集電極的電容C3。
所述負(fù)壓?jiǎn)卧娙軨4、穩(wěn)壓二極管ZD、二極管D4、電阻R4和電阻R5;其中,二極管D4的正極與晶體管Q2的集電極相連,負(fù)極與穩(wěn)壓二極管ZD的負(fù)極相連,穩(wěn)壓二極管ZD的正極連接電容C4;電阻R4與R5串聯(lián)后整體并聯(lián)在穩(wěn)壓二極管ZD的正極和二極管D4的正極之間;電阻R5的兩端為整個(gè)電路的輸出端,其中電阻R5與二極管D4相連的一端連接待驅(qū)動(dòng)器件的源極,另一端連接連接待驅(qū)動(dòng)器件的柵極。
所述電容C2大于所述電容C3和所述電容C4之和。
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