[實用新型]高方向性超強耦合器

有效

• 申請號: 201320108566.7
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN203085732U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 王清源;譚宜成;張運波
• 申請（專利權）人: 成都賽納賽德科技有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高方向性超強耦合器，其特征在于，包括主波導（5）和副波導（6），還包括連通主波導（5）和副波導（6）的耦合孔（7），主波導（5）的兩端分別為輸入端口（1）和隔離端口A（2），副波導（6）的兩端分別為輸出端口（3）和隔離端口B（4），聯通主波導（5）和副波導（6）的耦合孔（7）的寬度為X，每個耦合孔的高度為Y，相鄰兩耦合孔中心點的距離為Z，所述主波導（5）和副波導（6）都為圓形空波導，X小于或等于高方向性超強耦合器工作頻帶中心頻率時的波長，Y小于主波導（5）或副波導（6）的最大高度，即Y小于圓形空波導的直徑，Z小于高方向性超強耦合器工作頻帶中心頻率時波長的二分之三倍。

2.根據權利要求1所述的高方向性超強耦合器，其特征在于，從主波導（5）的輸入端口（1）輸入的微波信號通過耦合孔（7）只從副波導（6）的輸出端口（3）輸出。

3.根據權利要求1所述的高方向性超強耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的數目大于或等于2，且沿主波導（5）軸線方向上或副波導（6）軸線方向上排布。

4.根據權利要求1所述的高方向性超強耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的垂直于水平面的橫截面為矩形或圓形。

5.根據權利要求1所述的高方向性超強耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的垂直于水平面的橫截面為中心對稱圖形。

6.根據權利要求1所述的高方向性超強耦合器，其特征在于，主波導（5）的軸線和副波導（6）的軸線相互平行且處于同一水平面上。

7.根據權利要求1所述的高方向性超強耦合器，其特征在于，主波導（5）和副波導（6）相對于主波導（5）和副波導（6）之間的一個平面呈鏡像對稱，該平面垂直于水平面。