[實用新型]雙孔高方向性超強耦合器

有效

• 申請號: 201320108482.3
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN203085730U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 王清源;譚宜成;張運波
• 申請（專利權）人: 成都賽納賽德科技有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，包括主波導（5）和副波導（6），還包括連通主波導（5）和副波導（6）的耦合孔（7），主波導（5）的兩端分別為輸入端口（1）和隔離端口A（2），副波導（6）的兩端分別為輸出端口（3）和隔離端口B（4），聯通主波導（5）和副波導（6）的耦合孔（7）的寬度為X，每個耦合孔的高度為Y，所述主波導（5）和副波導（6）都為圓形空波導，X小于或等于雙孔高方向性超強耦合器工作頻帶中心頻率時波長的兩倍，Y小于主波導（5）或副波導（6）的最大高度的二分之一，即Y小于圓形空波導的半徑。

2.根據權利要求1所述的雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，從主波導（5）的輸入端口（1）輸入的微波信號通過耦合孔（7）只從副波導（6）的輸出端口（3）輸出。

3.根據權利要求1所述的雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的數目為2，且分別位于主波導（5）軸線和副波導（6）軸線所在水平面的上下兩側。

4.根據權利要求1所述的雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的垂直于水平面的橫截面為矩形或圓形。

5.根據權利要求1所述的雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，所述耦合孔（7）的垂直于水平面的橫截面為中心對稱圖形。

6.根據權利要求1所述的雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，主波導（5）的軸線和副波導（6）的軸線相互平行且處于同一水平面上。

7.根據權利要求1所述的雙孔高方向性超強耦合器，其特征在于，主波導（5）和副波導（6）相對于主波導（5）和副波導（6）之間的一個平面呈鏡像對稱，該平面垂直于水平面。