[實用新型]一種陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線

有效

• 申請號: 201320107324.6
• 申請日: 2013-03-08
• 公開（公告）號: CN203166078U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 胡斌杰;黃俊杰
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/52
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于包括介質基板（1）、金屬鍍層以及兩個微電子機械系統（MEMS）開關，其中，所述金屬鍍層包括輻射單元（2）、共面波導饋線（3）、共面波導地板；所述共面波導地板包括第一共面波導地板（7）、第二共面波導地板（8），所述輻射單元（2）蝕刻出一個類C形槽（4），所述兩個微電子機械系統（MEMS）開關包括第一MEMS開關（5）、第二MEMS開關（6）；所述金屬鍍層和所述兩個MEMS開關位于所述介質基板（1）的上表面；所述共面波導饋線（3）與所述第一共面波導地板（7）之間存在第一縫隙（9），所述共面波導饋線（3）與所述第二共面波導地板（8）之間存在第二縫隙（10）；所述第一MEMS開關（5）和第二MEMS開關（6）跨接在所述類C形槽（4）上。

2.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述輻射單元（2）為八邊形結構。

3.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述輻射單元（2）與所述共面波導饋線（3）相連。

4.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述金屬鍍層的材料是導電性能較好的金屬，如金、銀或銅。

5.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述類C形槽（4）的開口向下。

6.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述第一共面波導地板（7）與所述第二共面波導地板（8）的形狀和大小相同。

7.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述第一縫隙（9）與所述第二縫隙（10）的寬度相同。

8.根據權利要求1所述的陷波特性可重構的超寬帶平面單極子天線，其特征在于，所述第一共面波導地板（7）與所述第二共面波導地板（8）分別位于共面波導饋線（3）的兩側并且關于共面波導饋線（3）對稱。