[實用新型]一種能提升光效的發光二極管

有效

• 申請號: 201320103251.3
• 申請日: 2013-03-07
• 公開（公告）號: CN203134862U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 莊曜瑋
• 申請（專利權）人: 南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

?本實用新型涉及光電技術領域，特別是能提升光效的發光二極管。

背景技術

發光二極管（Light?Emitting?Diode；LED）適合作為發光組件的材料，具有體積小、耐沖擊、壽命長、可靠度高、適用范圍廣和低電壓低電流操作等優良特性，符合節能環保的發展趨勢。在亮度的提升上，很多技術用于提升發光體的效率，如表面粗化、改變幾何形狀、大面積化布局、光子晶體、共振腔發光二極管等。

在照明領域，可以通過紫外光LED激發RGB三波長熒光粉產生白光，常用的是藍光LED發光二極管激發黃色熒光粉產生白光，但是藍光LED發白光方式的發光效率仍然不足，因此如何提升光效為一個重要課題。

現有技術中，通常將熒光粉溶在封裝膠內再對正裝結構晶粒進行封裝而產生白光，封裝膠直接覆蓋在晶粒的上方。這種方式會導致入射光、反射光在晶粒內部直接反射損耗一部分能量。另一種方式為倒裝結構晶粒，熒光粉直接覆蓋在襯底上再進行封裝，這種方式反射光在晶粒底部直接反射，也會損耗一部分能量。

發明內容

針對上述現有技術的不足，本實用新型的目的是提供一種能提升光效的發光二極管。它通過提高熒光粉激發混光效率來提升光效。

為了達到上述發明目的，本實用新型的技術方案以如下方式實現：

一種能提升光效的發光二極管，它包括襯底以及置于襯底上方依次由N型半導體層、發光層、P型半導體層和透明導電層組成的發光結構。在N型半導體層上的一端置有N型電極，透明導電層上、與N型電極相對的另一端置有P型電極。襯底下方為反射層，襯底和反射層之間置有熒光粉層。

在上述發光二極管中，所述熒光粉層的厚度為1-100um。

本實用新型由于采用了上述結構，利用入射光、反射光在發光二極管底部多次激發熒光粉產生能量轉移避免激發波長在晶粒內部二次吸收，減少了能量損失，提高了熒光粉激發混光效率，從而有效提升發光二極管的光效。

???下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例中發光二極管內部入射光、反射光多次激發熒光粉層的放大示意圖。

具體實施方式

參看圖1，本實用新型發光二極管包括襯底3以及置于襯底3上方依次由N型半導體層4、發光層6、P型半導體層7和透明導電層8組成的發光結構。在N型半導體層4上的一端置有N型電極5，透明導電層8上、與N型電極5相對的另一端置有P型電極9。襯底3下方為反射層1，襯底3和反射層1之間置有厚度為1-100um的熒光粉層2。

參看圖2，箭頭表示入射光和反射光的方向，圓形顆粒表示熒光粉，入射光和反射光經過熒光粉層2時，遇到熒光粉顆粒，多次激發混光，促進能量轉移成光能，減少入射光和反射光直接反射而在晶粒內部產生大量熱能，導致能量損失。

本實用新型發光二極管的制作方法為：

1)?在襯底3上采用晶體材料外延生長技術分別外延生長N型半導體層4、發光層6以及P型半導體層7。

2)?利用光刻和刻蝕方法刻蝕出N型半導體層4的歐姆接觸區。

3)?利用光刻和蒸發方法制作透明導電層8將器件覆蓋。

4)?利用光刻和蒸發或者光刻和電鍍方法制備N型電極5以及P型電極9。

5)?將制作完成的發光二極管從底面減薄。

6)?利用光刻和蒸發或者溶膠涂布方式形成熒光粉層2。

7)?利用蒸發方法制作反射層(ODR或者DBR反射層1)。

8)?利用激光切割并且劈裂成單顆晶粒。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施例，并不限于本實用新型的其它實施方式，凡屬本實用新型的技術路線原則之內，所做的任何顯而易見的修改、替換或改進，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。