[實用新型]靜電防護單元、靜電防護結構及陣列基板和顯示面板有效
| 申請號: | 201320100829.X | 申請日: | 2013-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN203218262U | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 馮玉春;陳曦;袁劍峰;陳華斌;林承武 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 防護 單元 結構 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種靜電防護單元,其特征在于,包括兩個串聯的一級結構,所述一級結構為并聯的第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接。?
2.根據權利要求1所述的靜電防護單元,其特征在于,?
所述第一晶體管包括第一柵極,覆蓋所述第一柵極的第一柵絕緣層,位于所述第一柵絕緣層上方的第一有源層、第一源極和第一漏極,覆蓋所述第一有源層、所述第一源極和所述第一漏極的第一保護層;?
所述第二晶體管包括第二柵極,覆蓋所述第二柵極的第二柵絕緣層,位于所述第二柵絕緣層上方的第二有源層、第二源極和第二漏極,覆蓋所述第二有源層、所述第二源極和所述第二漏極的第二保護層;所述第一源極和第二漏極連接。?
3.根據權利要求2所述的靜電防護單元,其特征在于,?
所述第一晶體管的第一柵極和第一源極連接,所述第二晶體管的第二柵極和第二源極連接;?
其中,所述第一柵極上的所述第一柵絕緣層和所述第一保護層包含第一過孔,所述第一源極上的所述第一保護層包含第二過孔,所述第一漏極上的所述第一保護層包含第三過孔,所述第一柵極與所述第一源極被第一導電層圖形通過所述第一過孔和所述第二過孔導通;?
所述第二柵極上的所述第二柵絕緣層和所述第二保護層上包含第四過孔,所述第二源極上的所述第二保護層上包含第五過孔,所述第二柵極、所述第二源極與所述第一漏極被第二導電層圖形通過所述第三過孔、所述第四過孔和所述第五過孔導通;?
所述靜電防護單元的一個所述一級結構的第一晶體管的第一柵極與像素短路環電連接,另一所述一級結構的第二晶體管的第二柵極與外圍公共電極線電連接,兩個所述一級結構的另外兩個晶體管的柵極電連接。?
4.根據權利要求2-3任一項所述的靜電防護單元,其特征在于,所述第一柵極與所述第二柵極為同層導電材料。?
5.根據權利要求2-3任一項所述的靜電防護單元,其特征在于,所述第一柵絕緣層與所述第二柵絕緣層為同層絕緣材料層。?
6.根據權利要求2-3任一項所述的靜電防護單元,其特征在于,所述第一有源層與所述第二有源層為同層半導體材料層。?
7.根據權利要求1-3任一項所述的靜電防護單元,其特征在于,所述第一晶體管和第二晶體管均為“P”型晶體管或所述第一晶體管和第二晶體管均為“N”型晶體管。?
8.根據權利要求2-3任一項所述的靜電防護單元,其特征在于,所述第一保護層與所述第二保護層為同層絕緣材料層。?
9.根據權利要求3所述的靜電防護單元,其特征在于,所述第一導電層圖形與所述第二導電層圖形為同層透明導電材料層。?
10.一種靜電防護結構,其特征在于,包括兩個或兩個以上如權利要求1-9任一項所述的靜電防護單元并聯。?
11.一種陣列基板,其特征在于,包括至少一個如權利要求1-9任一項所述的靜電防護單元,其中所述靜電防護單元的一個一級結構的第一晶體管的第一柵極與像素短路環電連接,另一一級結構的第二晶體管的第二柵極與外圍公共電極線電連接,兩個一級結構的另外兩個晶體管的柵極電連接。?
12.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求11所述的陣列基板。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





