[實用新型]一種晶硅太陽能電池片有效
| 申請號: | 201320100092.1 | 申請日: | 2013-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN203232874U | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 任現坤;張春艷;賈河順;馬繼磊;程亮;徐振華;姜言森;孫繼峰 | 申請(專利權)人: | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
| 地址: | 250103 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池片,具體涉及一種晶硅太陽能電池片。?
背景技術
太陽能產業的迅速發展需要不斷降低物料成本,提高光電轉化效率高來降低發電成本,達到與市電同價或低于市電電價的目標。?
當前常規晶硅電池隨著產業化的發展,轉換效率提升和成本降低都有了較大的進步。晶硅太陽能電池片的制造工藝一般有如下幾個步驟:化學清洗及表面織構化處理、擴散制結、邊緣刻蝕和去磷硅玻璃、沉積減反射膜、印刷電極、燒結。太陽能電池片在將光能轉換成電能的過程中,其內部產生的光生載流子需要通過外部印刷的電極收集并引出,然后與外部電路連接,從而將電流輸送出來。通過所述外部印刷的電極不僅可以用來收集光生載流子,而且還能對太陽能電池進行測試,進而選取不同效率的電池片,可在制作太陽能電池組件的時候得到最大的功率輸出。?
現有技術中太陽能電池采用兩主柵或三主柵結構,主柵線和副柵線覆蓋在硅片上的面積較大,這使得現有技術的柵線遮光率達到了6%以上,降低了太陽能電池片的利用效率。除此之外,印刷電極時需要貴重金屬作為導電漿料,主柵線和副柵線覆蓋在硅片上的面積較大也必然使得導電漿料的使用增加,因此,致使太陽能電池片的制作成本較高。?
發明內容
本實用新型的目的就是提供一種晶硅太陽能電池片,該電池片的柵線結構能夠有效地提高太陽能電池片的光利用和電子收集率,提高太陽能電池的填充因子和轉換效率,而且能夠降低太陽能電池片的制作成本。?
本實用新型的一種晶硅太陽能電池片技術方案為,包括晶體硅片、正面柵線、背面電極;所述的正面柵線位于電池的受光面,包括主柵和副柵;主柵包括一級主柵和二級主柵,其中,一級主柵至少兩根且相互平行,每根一級主柵分成至少兩段,二級主柵通過規則或不規則的圖形或線條連接一級主柵斷口處;所述的副柵包括一級副柵和二級副柵,一級副柵均勻分布在二級主柵組成的圖形之外,并與一級主柵垂直;二級副柵位于二級主柵組成的圖形之內并與一級主柵平行設置。?
所述的一級主柵為長條形或者是兩端或一端帶尖端的形狀。?
所述的二級主柵組成的圖形為圓形、橢圓形、方形、菱形或者不規則圖形。?
所述的二級主柵寬度≤一級主柵寬度。?
所述背面電極處于電極背面并對應于正面一級主柵的條數和位置。?
一級主柵及背面電極為實心或者由鏤空或分段圖案構成。?
所述的晶硅太陽能電池片是單晶、多晶或者準單晶。?
本實用新型的有益效果是:本實用新型的一種晶硅太陽能電池片,包括晶體硅片、正面柵線、背面電極;所述的正面柵線位于電池的受光面,包括主柵和副柵;主柵包括一級主柵和二級主柵,其中,一級主柵至少兩根且相互平行,每根一級主柵分成至少兩段,二級主柵將每根一級主柵分段處依次連接并組成圖形;所述的副柵包括一級副柵和二級副柵,一級副柵均勻分布在二級主柵組成的圖形之外,并與一級主柵垂直;二級副柵位于二級主柵組成的圖形之內并與一級主柵平行設置;所述背面電極處于電極背面并對應于正面一級主柵的條數和位置。?
采用本實用新型的晶硅太陽能電池遮光率可以大幅降低,同時由于電極更加密集,收集電子的能力提升,這使得太陽能電池片的串聯電阻降低,填充因子上升,另一方面可以減少主柵電極和硅片的直接接觸,增大了表面鈍化面積,繼而提高了整體轉換效率。同時,正面柵線面積減小,正極銀漿的印刷重量也隨之降低,繼而降低了太陽能電池片的制造成本。對于達到市電同價,推動太陽能這一綠色新能源代替傳統能源有著深刻的意義。?
附圖說明:
圖1所示為本實用新型的實施例1的太陽能電池片結構簡圖;
圖2所示為本實用新型的實施例2的太陽能電池片結構簡圖;
圖3所示為本實用新型的實施例3的太陽能電池片結構簡圖;
圖4所示為本實用新型的實施例4的太陽能電池片結構簡圖。
圖中,1.一級主柵;2.二級主柵;3.?一級副柵;4二級副柵。?
具體實施方式:
為了更好地理解本實用新型,下面結合附圖和實例來說明本實用新型的技術方案,但是本實用新型并不局限于此。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





