[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201320098117.9
• 申請日: 2013-03-05
• 公開（公告）號: CN203085555U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 小川嘉壽子
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 田勇

1.一種半導體裝置，其特征在于,所述半導體裝置具有：

具有第1導電型的第1半導體區域（11）；

具有導電型與所述第1半導體區域（11）上具有的第1導電型相反的第2導電型的第2半導體區域（13）；

形成于所述第2半導體區域（13）上的具有所述第2導電型的第3半導體區域（14）；

形成于所述第3半導體區域（14）上的具有所述第1導電型的第4半導體區域（16）；

形成于所述第4半導體區域（16）上的具有所述第2導電型的第5半導體區域（17）；

在所述第4半導體區域（16）上通過絕緣膜（18）形成的控制電極（19）；

與所述第1半導體區域（11）電連接的第1電極（20）；以及

與所述第4半導體區域（16）以及所述第5半導體區域（17）電連接的第2電極（21）；

其中，所述第3半導體區域（14）的所述第2導電型的不純物濃度比所述第2半導體區域（13）高，所述第3半導體區域（14）的不純物濃度的最大值大于等于5×10¹⁴cm^-3、且小于等于5×10¹⁵cm^-3。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第3半導體區域（14）的所述第2導電型的不純物濃度與所述第2半導體區域（13）的所述第2導電型的不純物濃度相比高出5至50倍。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第3半導體區域（14）與所述第4半導體區域（16）相接，

在向所述第1電極（20）和所述第2電極（21）施加規定電壓時，耗盡層擴散至比所述第3半導體區域（14）的下表面還要靠下的下側。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第3半導體區域（14）的厚度為大于等于1μm、且小于等于3μm。

5.根據權利要求1至4的任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，具有從所述第5半導體區域（17）的上表面到達所述第3半導體區域（14）的溝槽，

在所述溝槽內，通過所述絕緣膜（18）具有所述控制電極（19）。

6.根據權利要求1至4的任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，具有從所述第5半導體區域（17）的上表面貫通所述第4半導體區域（16）以及所述第3半導體區域（14）到達所述第2半導體區域（13）的溝槽，

在所述溝槽內，通過所述絕緣膜（18）具有所述控制電極（19）。