[實用新型]一種直列多靶磁控濺射鍍膜裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320097577.X | 申請日: | 2013-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN203065570U | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 杜曉松;林慶浩;邱棟;蔣亞東 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李順德;王睿 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直列多靶 磁控濺射 鍍膜 裝置 | ||
1.一種直列多靶磁控濺射鍍膜裝置,包括1個真空室,真空室內設置有n個矩形濺射靶(3)、1個基片架、1個基片加熱器、1個直線運動機構,真空室外具有1個步進電機;其特征在于,所述真空室為箱式真空室,n個矩形濺射靶相互平行并共軸排成一列,靶間距小于矩形靶寬度的2倍,所有矩形濺射靶的寬度方向都平行于真空室的長邊;矩形濺射靶上方設置有一個直線運動結構,基片架和基片加熱器固定于直線運動機構之上,并在步進電機的驅動下能夠沿真空室的長邊作直線往復運動,直線往復運動的起始點、終止點和運動速度由一個控制器進行編程設置,其最大行程覆蓋了所有矩形濺射靶。?
2.根據權利要求1所述的一種直列多靶磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述矩形濺射靶的個數n≥3。?
3.根據權利要求1所述的一種直列多靶磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述矩形靶的長度大于等于矩形靶的寬度的3倍。?
4.根據權利要求1所述的一種直列多靶磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述n個矩形濺射靶的磁控濺射電源為直流電源、射頻電源、中頻電源或脈沖電源,或是以上幾種電源的任意組合。?
5.根據權利要求1所述的一種直列多靶磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述直線運動機構為絲杠式、皮帶式或鏈條式。?
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





