[實用新型]一種LED驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320096921.3
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN203206528U
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王釗
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 戴薇

1.一種LED驅(qū)動電路，其特征在于，其包括：電感L1、二極管D1、電容C1、功率開關(guān)、采樣開關(guān)、電流采樣電路和電流?？刂齐娐?，

將電流采樣電路和電流模控制電路設(shè)置于第一晶片中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于第二晶片中，

第二晶片采用垂直溝槽柵工藝制造，第一晶片的制造工藝與第二晶片的不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，電感L1、二極管D1和電容C1依次串聯(lián)于輸入電壓和地之間，功率開關(guān)串聯(lián)在電感L1和二極管D1的中間節(jié)點和地之間，所述二極管D1和電容C1之間的節(jié)點為輸出節(jié)點。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述采樣開關(guān)和電流采樣電路共同來采樣所述功率開關(guān)上流過的電流并得到所述功率開關(guān)的采樣電流，所述電流?？刂齐娐犯鶕?jù)功率開關(guān)的采樣電流以及電流反饋電壓輸出開關(guān)控制信號來控制所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)的導(dǎo)通和截止。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述采樣開關(guān)和所述功率開關(guān)均是NMOSEFT，

所述采樣開關(guān)的漏極連接所述電流采樣電路，構(gòu)成第二晶片的DS壓焊區(qū)，所述采樣開關(guān)的柵極與所述功率開關(guān)的柵極相連，構(gòu)成第二晶片的G壓焊區(qū)，并與所述電流?？刂齐娐返妮敵龆讼噙B，所述功率開關(guān)的漏極接電感L1和二極管D1的中間節(jié)點，構(gòu)成第二晶片的DN壓焊區(qū)，所述采樣開關(guān)的漏極與所述功率開關(guān)的漏極相連，構(gòu)成第二晶片的S壓焊區(qū)，并接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，第一晶片與第二晶片封裝在一起。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)的結(jié)構(gòu)相同，

所述功率開關(guān)包括N+襯底，形成于N+襯底上方的N-層，形成于N-層上方的P-阱，自P-阱的上表面向下延伸至N-層內(nèi)的柵極，半圍繞所述柵極以將所述柵極隔離的柵氧層，自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)，其中N+有源區(qū)形成功率開關(guān)的源極，P+有源區(qū)形成功率開關(guān)的襯體連接端，N+襯底形成功率開關(guān)的漏極，P+表示P型重?fù)诫s，P-表示P型輕摻雜，N+表示N型重?fù)诫s，N-表示N型輕摻雜，

在所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)之間形成有DP區(qū)域，所述DP區(qū)域自所述功率開關(guān)與所述采樣開關(guān)之間的N-層的上表面向下延伸至N+襯底的下表面，隔離N-層和下部的N+層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述柵極的上表面暴露于所述柵氧層外，所述柵氧層為U形，P+有源區(qū)較N+有源區(qū)更遠(yuǎn)離所述柵極，在所述柵極的兩側(cè)都設(shè)置有P+有源區(qū)和N+有源區(qū)，N+有源區(qū)和P+有源區(qū)相鄰接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述DP區(qū)域形成環(huán)形區(qū)域，在環(huán)形的DP區(qū)域內(nèi)形成所述采樣開關(guān)，在環(huán)形的DP區(qū)域外形成所述功率開關(guān)。