[實用新型]基板承載板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320090450.5 | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN203325857U | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 史蒂文·韋爾豪費爾貝克;羅曼·古科 | 申請（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 承載 | ||
1.一種用于支撐多個基板的承載板，其特征在于，所述承載板包括：
盤狀主體，所述盤狀主體具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對的、實質(zhì)平坦的第二側(cè)；和
多個凹部，所述多個凹部形成在所述盤狀主體的所述第一側(cè)中，所述多個凹部的各個凹部都包括：
側(cè)壁，所述側(cè)壁從所述第一側(cè)的表面到所述凹部的底表面漸縮；和
支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述凹部的底表面上方并幾何對中在所述凹部。
2.如權(quán)利要求1所述的承載板，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)包括上表面，所述上表面平行于所述第一側(cè)的所述表面的平面。
3.如權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述支撐結(jié)構(gòu)包括實質(zhì)半圓的支撐表面。
4.如權(quán)利要求3所述的承載板，其特征在于，所述支撐表面偏離所述第一側(cè)的所述表面的平面。
5.如權(quán)利要求3所述的承載板，其特征在于，所述支撐表面偏離所述第一側(cè)的所述表面一段距離，所述距離大體等于所述多個基板中的單一基板的厚度。
6.如權(quán)利要求3所述的承載板，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)包括第一半圓支撐表面和第二半圓支撐表面。
7.如權(quán)利要求6所述的承載板，其特征在于，所述第一半圓支撐表面和所述第二半圓支撐表面由間隙間隔開。
8.如權(quán)利要求1所述的承載板，其特征在于，所述盤狀主體包含硅。
9.如權(quán)利要求1所述的承載板，其特征在于，所述盤狀主體的周向邊緣包括形成在所述周向邊緣中的一或多個槽口。
10.一種用于支撐多個基板的承載板，其特征在于，所述承載板包括：
盤狀主體，所述盤狀主體具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對的、實質(zhì)平坦的第二側(cè)；和
多個凹入部，所述凹入部形成在所述盤狀主體的所述第一側(cè)中，各所述凹入部包括：
側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)置在所述第一側(cè)的表面與所述凹入部的底表面之間；和
支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述底表面上方，所述支撐結(jié)構(gòu)包括一或多個實質(zhì)半圓形的支撐表面。
11.如權(quán)利要求10所述的承載板，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)幾何對中在所述凹入部。
12.如權(quán)利要求10所述的承載板，其特征在于，所述側(cè)壁以相對于所述第一側(cè)的表面以一定角度漸縮。
13.如權(quán)利要求10所述的承載板，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)包括第一半圓支撐表面和第二半圓支撐表面。
14.如權(quán)利要求13所述的承載板，其特征在于，所述第一半圓支撐表面和所述第二半圓支撐表面由間隙間隔開。
15.如權(quán)利要求10所述的承載板，其特征在于，所述盤狀主體包含硅。
16.如權(quán)利要求10所述的承載板，其特征在于，所述盤狀主體的周向邊緣包括形成在所述周向邊緣中的一或多個槽口。
17.一種用于支撐多個基板的承載板，其特征在于，所述承載板包括：
盤狀主體，所述盤狀主體具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對的、實質(zhì)平坦的第二側(cè)；和
多個凹入部，所述凹入部形成在所述盤狀主體的所述第一側(cè)中，各所述凹入部包括：
側(cè)壁，所述側(cè)壁從所述第一側(cè)的表面到所述凹入部的底表面漸縮；和
支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述凹入部的底表面上方并幾何對中在所述凹入部的一或多個實質(zhì)半圓形的支撐表面。
18.如權(quán)利要求17所述的承載板，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)包括第一半圓支撐表面和第二半圓支撐表面。
19.如權(quán)利要求18所述的承載板，其特征在于，所述第一半圓支撐表面和所述第二半圓支撐表面由間隙間隔開。
20.如權(quán)利要求17所述的承載板，其特征在于，所述盤狀主體包含硅。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于應(yīng)用材料公司，未經(jīng)應(yīng)用材料公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320090450.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種異質(zhì)結(jié)板式PECVD載板
- 下一篇：鍍膜氙氣燈
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
