[實用新型]易于相對定位的電阻率模擬單元體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320089120.4 | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN203335068U | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉越;伍東;黃濤;劉策;徐凌堂;于洋;吳翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國石油集團(tuán)長城鉆探工程有限公司 |
| 主分類號： | E21B49/00 | 分類號： | E21B49/00;G01V13/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 薛峰;嚴(yán)志軍 |
| 地址： | 100101 中*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 易于 相對 定位 電阻率 模擬 單元 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種模擬井下目標(biāo)地層電阻率的電阻率模擬單元體，其特征在于，所述電阻率模擬單元體為具有中央環(huán)孔的環(huán)形單元體，而且具有軸向貫穿其本身的一個或多個定位孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻率模擬單元體，其特征在于，
所述電阻率模擬單元體的中央環(huán)孔的表面上具有至少一個局部標(biāo)定特征。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻率模擬單元體，其特征在于，
所述局部標(biāo)定特征包括具有不同幾何尺寸和/或取向的多個凹槽和/或孔洞。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻率模擬單元體，其特征在于：
所述定位孔的數(shù)量為三個，且沿同一圓周均布在所述電阻率模擬單元體的端面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻率模擬單元體，其特征在于：
所述電阻率模擬單元體的所有表面以及內(nèi)部的孔隙中覆蓋或填充有絕緣油。
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