[實用新型]一種肖特基二極管的封裝結構

有效

• 申請號: 201320086700.8
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN203242617U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 陳鋼全
• 申請（專利權）人: 山東迪一電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L29/872
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 李桂存

1.一種肖特基二極管的封裝結構，包括芯片、跳線和金屬框架，所述金屬框架包括間隔相對的一個基部金屬框架和兩個引出金屬框架，所述芯片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳線的一端，跳線的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，其特征在于：所述基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及芯片、跳線的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，并且基部金屬框架和引出金屬框架均延伸有位于塑封體外的引腳。

2.根據權利要求1所述肖特基二極管的封裝結構，其特征在于：所述基部金屬框架的上表面設置有網格狀的防移溝。

3.根據權利要求1所述肖特基二極管的封裝結構，其特征在于：所述引出金屬框架上表面設置有卡槽，所述跳線的端部設置有與卡槽相配合的凸塊。

4.根據權利要求1所述肖特基二極管的封裝結構，其特征在于：所述基部金屬框架和引出金屬框架相對的側壁均為梯級形狀且之間填充塑封體。

5.根據權利要求1所述肖特基二極管的封裝結構，其特征在于：所述塑封體的長、寬、厚分別為5.4mm、4.0mm和1.1mm。

6.根據權利要求1所述肖特基二極管的封裝結構，其特征在于：若干金屬框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個基部金屬框架，每個基部金屬框架相對設置有兩個引出金屬框架。