[實(shí)用新型]半導(dǎo)體模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320085221.4
• 申請日: 2013-02-25
• 公開（公告）號: CN203165891U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅蘭·比特納;伯恩哈特·卡爾克曼;安德烈亞斯·毛爾
• 申請（專利權(quán)）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L29/92;H01L29/94;H01L23/64
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.半導(dǎo)體模塊，具有襯底（12）和電容器（2），其中，所述襯底（12）具有絕緣材料體（14）和布置在所述絕緣材料體（14）上的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15），其中，第一和第二半導(dǎo)體開關(guān)（T1、T2）以及第一和第二二極管（D1、D2）布置在所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）上并且與所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）連接，其中，所述半導(dǎo)體模塊（1）具有膜復(fù)合物（16），所述膜復(fù)合物具有第一和第二金屬膜層（17、19）以及布置在所述第一金屬膜層與第二金屬膜層（17、19）之間電絕緣膜層（18），其中，所述金屬膜層（17、19）中的至少一個(gè)是結(jié)構(gòu)化的，其中，所述第一半導(dǎo)體開關(guān)（T1）和所述第二二極管（D2）與所述膜復(fù)合物（16）連接，其中，電容器（2）的第一電接口（26）與所述膜復(fù)合物（16）連接，而所述電容器（2）的第二電接口（23）與所述襯底（12）的結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）導(dǎo)電地連接，其中，所述第一半導(dǎo)體開關(guān)（T1）的集電極（C）與所述第一二極管（D1）的陰極并且與所述電容器（2）的第二電接口（23）導(dǎo)電地連接，并且所述第一半導(dǎo)體開關(guān)（T1）的發(fā)射極（E）與所述第二半導(dǎo)體開關(guān)（T2）的集電極（C）、所述第一二極管（D1）的陽極和所述第二二極管（D2）的陰極導(dǎo)電地連接，并且所述第二半導(dǎo)體開關(guān)（T2）的發(fā)射極（E）與所述第二二極管（D2）的陽極并且與所述電容器（2）的第一電接口（26）導(dǎo)電地連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述電容器（2）的第二電接口（23）與所述襯底（12）的結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）導(dǎo)電地連接，其方式為：所述電容器（2）的第二接口（23）與所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述電容器（2）的第二電接口（23）與所述襯底（12）的結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）導(dǎo)電地連接，其方式為：所述電容器（2）的第二電接口（23）與所述第二金屬膜層（19）連接，而所述第二金屬膜層（19）與所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）連接，其中，所述電容器（2）布置在所述第一金屬膜層與所述第二金屬膜層（17、19）之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第二二極管（D2）和所述第一半導(dǎo)體開關(guān)（T1）沿著第一線（28）布置在所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）上，而所述第二半導(dǎo)體開關(guān)（T2）和所述第一二極管（D1）沿著第二線（29）布置在所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）上，其中，所述第一線（28）平行于所述第二線（29）分布或者與所述第二線（29）呈角度α分布，其中，所述第一和第二半導(dǎo)體開關(guān)（T1、T2）彼此成對角線地布置在所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）上，其中，所述第一和第二二極管（D1、D2）彼此成對角線地布置在所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述電容器（2）沿著所述第一線（28）布置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述電容器（2）具有集成在所述電容器（2）中的電阻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述電容器（2）具有在1nF至1000nF范圍內(nèi)或在0.1mF至100mF范圍內(nèi)的電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述電容器（2）以半導(dǎo)體電容器的形式存在。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體開關(guān)（T2）和所述第一二極管（D1）與所述膜復(fù)合物（16）連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體模塊（1）具有另外的電容器（2’），其中，所述另外的電容器（2’）的第一電接口（26’）與所述膜復(fù)合物（16）連接，而所述另外的電容器（2’）的第二電接口（23’）與所述襯底（12）的結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）導(dǎo)電地連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述另外的電容器（2’）的第二電接口（23’）與所述襯底（12）的結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）導(dǎo)電地連接，其方式為：所述另外的電容器（2’）的第二接口（23’）與所述結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)層（15）連接。