[實用新型]低壓電力載波功率放大電路有效
| 申請號： | 201320084423.7 | 申請日： | 2013-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN203119845U | 公開（公告）日： | 2013-08-07 |
| 發明（設計）人： | 洪利;陳仲錢 | 申請（專利權）人： | 北京廣聯智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/20 | 分類號： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天堯 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低壓 電力 載波 功率 放大 電路 | ||
1.一種低壓電力載波功率放大電路，其特征在于：
在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯超級電容電路。
2.如權利要求1所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述超級電容電路包括：
單個超級電容；
或，多個串聯的超級電容；
或，多個并聯的超級電容；
或，多個以串聯和并聯方式組合的超級電容。
3.如權利要求1或2所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述低壓電力載波功率放大電路包括：由第一金屬氧化物半導體場效應管MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET構成的橋接式負載BTL功率放大電路。
4.如權利要求3所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述BTL功率放大電路具體是：
第一MOSFET的漏極與正電源連接，第一MOSFET的源極與第二MOSFET的漏極連接，第二MOSFET的源極與電源地連接；
第一電阻的第一端與正電源連接，第一電阻的第二端與第一MOSFET的柵極連接；第二電阻的第一端與電源地連接，第二電阻的第二端與第二MOSFET的柵極連接；
第一開關二極管的陽極與第一MOSFET的柵極連接，第一開關二極管的陰極與正電源連接；第二開關二極管的陽極與電源地連接，第二開關二極管的陰極與第二MOSFET的柵極連接；
需要放大的第一信號從第一電容的第一端和第二電容的第一端輸入，第一電容的第二端與第一MOSFET的柵極連接，第二電容的第二端與第二MOSFET的柵極連接；
第三MOSFET的漏極與正電源連接，第三MOSFET的源極與第四MOSFET的漏極連接，第四MOSFET的源極與電源地連接；
第三電阻的第一端與正電源連接，第三電阻的第二端與第三MOSFET的柵極連接；第四電阻的第一端與電源地連接，第四電阻的第二端與第四MOSFET的柵極連接；
第三開關二極管的陽極與第三MOSFET的柵極連接，第三開關二極管的陰極與正電源連接；第四開關二極管的陽極與電源地連接，第四開關二極管的陰極與第四MOSFET的柵極連接；
第一信號的反向信號從第三電容的第一端和第四電容的第一端輸入，第三電容的第二端與第三MOSFET的柵極連接，第四電容的第二端與第四MOSFET的柵極連接；
功率放大后的信號從第一MOSFET的源極和第三MOSFET的源極輸出；
第五電容與耦合變壓器初級一端串聯作為功放負載分別連接在第一MOSFET的源極和第三MOSFET的源極；
耦合變壓器次級一端與第六電容串聯輸出到220V交流線路。
5.如權利要求4所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，第一MOSFET和第三MOSFET為N型MOSFET，第二MOSFET和第四MOSFET為P型MOSFET。
6.如權利要求3所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述BTL功率放大電路由集成電路構成。
7.如權利要求1或2所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述低壓電力載波功率放大電路包括：由第一開關三極管、第二開關三極管、第三開關三極管、第四開關三極管構成的BLT功率放大電路。
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