[實(shí)用新型]導(dǎo)光板、陣列基板、背光源及液晶模組

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320081901.9
• 申請(qǐng)日: 2013-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN203069818U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈麗麗;陳秀云;朱紅麗;張宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/00
• 分類號(hào): G02B6/00;F21S8/00;F21V8/00;G02F1/13357;F21Y101/02
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國(guó)勝

1.一種導(dǎo)光板，其特征在于，所述導(dǎo)光板的一個(gè)表面上形成有量子點(diǎn)層，用于補(bǔ)償所述導(dǎo)光板對(duì)特定光譜值光線的吸收。

2.一種背光源，包括導(dǎo)光板及鄰近所述導(dǎo)光板側(cè)邊設(shè)置的第一光源組件，其特征在于，所述導(dǎo)光板采用權(quán)利要求1所述的導(dǎo)光板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背光源，其特征在于，所述背光源還包括第二光源組件；所述第二光源組件鄰近所述導(dǎo)光板相對(duì)所述第一光源組件一側(cè)的側(cè)邊設(shè)置，用于激發(fā)所述導(dǎo)光板上的量子點(diǎn)產(chǎn)生量子點(diǎn)尺寸效應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背光源，其特征在于，所述量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)的密度從所述導(dǎo)光板的一側(cè)到相對(duì)側(cè)逐漸增加；

所述第一光源組件鄰近所述導(dǎo)光板上量子點(diǎn)密度較低一側(cè)的側(cè)邊設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的背光源，其特征在于，所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)為尺寸小于2.1nm的砷化鎘；所述第二光源組件的光源采用紫外LED燈。

6.一種液晶模組，包括導(dǎo)光板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板靠近導(dǎo)光板一側(cè)的外側(cè)表面上形成有量子點(diǎn)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶模組，其特征在于，所述陣列基板包括電源模塊；所述量子點(diǎn)層與所述電源模塊電性連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶模組，其特征在于，所述量子點(diǎn)層包括橫向分布的若干個(gè)寬度相同的量子點(diǎn)條；所述電源模塊包括若干個(gè)分別用于激發(fā)一個(gè)所述量子點(diǎn)條中的量子點(diǎn)產(chǎn)生尺寸效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)模塊。

9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的外側(cè)表面上形成有量子點(diǎn)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述量子點(diǎn)層中量子點(diǎn)的密度從所述陣列基板的一側(cè)到相對(duì)側(cè)逐漸增加。