[實用新型]晶圓減薄加工固定裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320080824.5 | 申請日: | 2013-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN203165872U | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳孟端 | 申請(專利權(quán))人: | 正恩科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;李靜 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓減薄 加工 固定 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及發(fā)光二極管晶圓,尤其涉及發(fā)光二極管晶圓的固定裝置。
背景技術(shù)
請參閱圖1與圖2所示,發(fā)光二極管晶圓1在制造完成之后,必須進行晶圓減薄加工,其包含研磨與拋光操作,以進行后續(xù)的晶圓切割、封裝等操作。
已知發(fā)光二極管晶圓1在減薄加工時,必須加以固定不動,由于發(fā)光二極管晶圓1的厚度相當?shù)谋。瑸楸苊饬芽p或破片,無法使用一般半導體工藝使用的真空吸附固定裝置,已知為將多個發(fā)光二極管晶圓1利用固定臘2黏著固定于一圓盤3上,以進行研磨與拋光。然而此固定方式,在研磨及拋光操作完畢之后,必須使用鍬子將被固定臘2固定的發(fā)光二極管晶圓1翹出,此一作業(yè)若施力稍有不當,極易使發(fā)光二極管晶圓1產(chǎn)生破片或裂縫,其為目前發(fā)光二極管晶圓1提升工藝良率的瓶頸之一。
請再參閱圖3所示,為解決上述已知固定方式的問題,已有人利用一真空產(chǎn)生裝置4以及一多孔性吸附隔墊5來吸附固定發(fā)光二極管晶圓1,其中該多孔性吸附隔墊5具有多個交錯且貫通的氣孔流道(圖未示)并被一固定環(huán)6所圍繞與固定,并該多孔性吸附隔墊5供放置該發(fā)光二極管晶圓1,據(jù)此利用該真空產(chǎn)生裝置4產(chǎn)生負壓,并通過氣孔流道的分壓,于該多孔性吸附隔墊5產(chǎn)生均勻的吸力,而避免發(fā)光二極管晶圓1產(chǎn)生破片或裂縫。
然而,此一固定方式,由于該多孔性吸附隔墊5利用分散氣流來解決局部吸力過強的問題,然而相對的其可以產(chǎn)生的氣流相當?shù)谋∪酰虼嗽谶M行研磨與拋光操作時,發(fā)光二極管晶圓1有可能會因高速移動或旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的慣性力而偏移,其會造成工藝上的困擾,而降低工藝良率。
實用新型內(nèi)容
于是,本新型的主要目的在于披露一種晶圓減薄加工固定裝置,其可直接利用一般吸盤來吸附固定該晶圓,而可確實固定發(fā)光二極管,避免該發(fā)光二極管晶圓因慣性力而偏移。
基于上述目的,本實用新型為一種晶圓減薄加工固定裝置,用于固定至少一晶圓,包含一膠膜、一鐵環(huán)與一吸盤,其中該膠膜具有一黏貼面與一底面,該膠膜的黏貼面固定于該鐵環(huán)下,并且該膠膜的底面在該鐵環(huán)內(nèi)形成一頂靠處,且該膠膜的黏貼面相對于該頂靠處的區(qū)域形成有至少一黏貼處,該至少一晶圓黏貼于該至少一黏貼處,該吸盤具有提供負壓的一吸附面,該吸附面供接觸該頂靠處。
進一步地,吸盤具有位于外側(cè)的一外環(huán)區(qū)域與位于內(nèi)側(cè)的一中心區(qū)域,外環(huán)區(qū)域供放置鐵環(huán),中心區(qū)域供設(shè)置吸附面,且外環(huán)區(qū)域的高度低于中心區(qū)域的高度。
進一步地,外環(huán)區(qū)域與中心區(qū)域的高度差大于鐵環(huán)的厚度。
進一步地,膠膜的黏貼面涂布有一黏膠。
據(jù)此,本實用新型通過使該至少一晶圓黏貼固定于該膠膜上,即可直接利用該吸盤來吸附該膠膜而間接固定該晶圓,其形成一種可快速固定及解除固定并兼具高良率的發(fā)光二極管晶圓固定裝置,而可供晶圓減薄加工時使用,以滿足使用上的需要。
附圖說明
圖1為已知發(fā)光二極管晶圓結(jié)構(gòu)圖。
圖2為已知發(fā)光二極管晶圓固定示意圖。
圖3為另一已知發(fā)光二極管晶圓固定示意圖。
圖4為本實用新型結(jié)構(gòu)分解圖。
圖5為本實用新型結(jié)構(gòu)組合剖視圖。
圖6為本實用新型吸附晶圓示意圖。
圖7為本實用新型實際實施示意圖。
具體實施方式
有關(guān)本實用新型的詳細說明及技術(shù)內(nèi)容,現(xiàn)就配合圖式說明如下:
請參閱圖4、圖5與圖6所示,本實用新型為一種晶圓減薄加工固定裝置,用于固定至少一晶圓10,其包含一膠膜20、一鐵環(huán)30與一吸盤40,其中該膠膜20具有一黏貼面21與一底面22,而該膠膜20的黏貼面21固定于該鐵環(huán)30下,該膠膜20與該鐵環(huán)30可以為黏結(jié)固定在一起,并該膠膜20的底面22于該鐵環(huán)30內(nèi)形成一頂靠處221。
該膠膜20的黏貼面21相對該頂靠處221的區(qū)域形成至少一黏貼處211,而該至少一晶圓10黏貼于該至少一黏貼處211,且該膠膜20的該黏貼面21涂布有一黏膠23,以供黏貼該鐵環(huán)30與該晶圓10,其中該黏膠23的膠黏度為100~3000克/平方英寸,且膜厚度為5~500微米,可達到較佳的黏貼效果,且該黏膠23可以為UV膠、熱解膠、壓克力膠等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





