[實用新型]微機電系統傳感器

有效

• 申請號: 201320077059.1
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN203200012U
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李剛;胡維;肖濱
• 申請（專利權）人: 蘇州敏芯微電子技術有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種微機電系統傳感器，包括襯底，其特征在于：所述襯底包括底壁、自所述底壁向上延伸形成的側壁、由所述底壁和側壁圍設形成的收容腔、收容在所述收容腔內且與所述底壁和側壁形成空隙的感應本體、以及自所述底壁和側壁其中一個或多個上朝所述感應本體延伸以支撐所述感應本體的支撐部，所述感應本體包括形成在所述感應本體內呈真空封閉狀的真空腔、位于所述真空腔上方的感應薄膜。

2.根據權利要求1所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述支撐部包括自所述側壁朝所述感應本體延伸形成的梁。

3.根據權利要求2所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述梁僅為一個。

4.根據權利要求2所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述梁為相對設置在所述感應本體兩側的兩個。

5.根據權利要求1至4項中任意一項所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述支撐部包括自所述底壁朝所述感應本體延伸形成的支柱。

6.根據權利要求1所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述空隙包括形成在所述底壁和感應本體之間的腔體和形成在所述感應本體和側壁之間且與所述腔體連通的深槽。

7.根據權利要求6所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述深槽為一個，且截面形狀呈C字形。

8.根據權利要求6所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述深槽為相互對稱設置的兩個，且每個所述深槽截面形狀呈C字形。

9.根據權利要求1所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述感應薄膜為真空腔的一側壁。

10.根據權利要求1所述的微機電系統傳感器，其特征在于：所述襯底包括基片、覆蓋于所述基片的第一層單晶硅體、以及覆蓋于所述第一層單晶硅體上的第二層單晶硅體，真空腔形成在所述第一層單晶硅體內，所述第二層單晶硅體形成所述感應薄膜。