[實用新型]LED半導體元件有效
| 申請號： | 201320074463.3 | 申請日： | 2013-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN203192835U | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 王冬雷 | 申請（專利權）人： | 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/02 |
| 代理公司： | 廣東秉德律師事務所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 241103 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 半導體 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED半導體元件，其特征在于，包含有至少一個半導體層，所述半導體層包括下半導體層和上半導體層，所述下半導體層和所述上半導體層之間包含有生成于下半導體層的上端面的粗化層，所述粗化層包括多個突起，所述粗化層上生成有連續的氮化物材料層，所述突起穿過并突出于所述氮化物材料層；所述氮化物材料層的四周露出于所述粗化層之外。
2.根據權利要求1所述的LED半導體元件，其特征在于，所述下半導體層和所述上半導體層均為GaN半導體層。
3.根據權利要求1所述的LED半導體元件，其特征在于，所述氮化物材料層的氮化物材料為MgN復合物或SiN復合物。
4.根據權利要求1所述的LED半導體元件，其特征在于，所述MgN復合物為氮化鎂，所述SiN復合物為氮化硅。
5.根據權利要求1所述的LED半導體元件，其特征在于，所述上半導體層的厚度為500nm-2000nm，所述下半導體層的厚度為500nm-2000nm，所述氮化物材料層的厚度為5nm-100nm。
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