[實用新型]一種半導體基片的大面積邦定結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320072667.3
• 申請日: 2013-02-08
• 公開（公告）號: CN203300703U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設計）人: 許玉方
• 申請（專利權）人: 江蘇微浪電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 朱顯國

1.一種半導體基片的大面積邦定結構，包括邦定用半導體基片和邦定用支撐基片，其特征在于：邦定用半導體基片、邦定用支撐基片表面上均設置有鍵合層，邦定用半導體基片和邦定用支撐基片至少一邊的鍵合層上具有規(guī)則或無規(guī)則分布的微凸塊；邦定用半導體基片鍵合層與邦定用支撐基片鍵合層通過邦定工藝進行鍵合。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體基片的大面積邦定結構，其特征在于：邦定用半導體基片表面制備有接觸層，在接觸層之上形成鍵合層；邦定用支撐基片包括支撐基片和接觸層，接觸層形成于支撐基片上，在接觸層之上形成鍵合層。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體基片的大面積邦定結構，其特征在于：所述邦定用半導體基片和邦定用支撐基片鍵合層上的微凸塊的厚度介于0~15微米之間，厚度為均勻分布；所述微凸塊的形狀包括圓形、環(huán)形、長條形、多邊形或其組合。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體基片的大面積邦定結構，其特征在于：邦定用半導體基片鍵合層與邦定用支撐基片鍵合層通過邦定工藝進行點接觸或線接觸方式的鍵合。

5.根據(jù)權利要求1或4所述的半導體基片的大面積邦定結構，其特征在于：邦定用半導體基片與邦定用支撐基片進行邦定工藝時，優(yōu)選邦定用半導體基片鍵合層的微凸塊與邦定用支撐基片鍵合層的微凸塊以交叉方向進行鍵合，形成點接觸鍵合；邦定用半導體基片與邦定用支撐基片進行邦定工藝時，優(yōu)選邦定用半導體基片鍵合層的微凸塊與邦定用支撐基片鍵合層的微凸塊以相互平行方向進行鍵合，形成線接觸鍵合。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體基片的大面積邦定結構，其特征在于：邦定用半導體基片所用襯底材料優(yōu)選為Al₂O₃、Si、SiC、GaP、GaAs、GaAsP、InP、Ge、Ga₂O₃、SOI襯底、金屬、玻璃、陶瓷或石英；邦定用支撐基片所用材料優(yōu)選為Al₂O₃、Si、SiC、GaP、InP、Ge、金屬、玻璃、陶瓷或石英。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體基片的大面積邦定結構，其特征在于：邦定用半導體基片表面制備的接觸層，與半導體基片表面形成緊密接觸。