[實用新型]壓阻式高頻動態(tài)土應(yīng)力傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320069752.4 | 申請日： | 2013-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN203216646U | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈嬌艷;唐運海;程新利;王冰;秦長發(fā);潘濤;王文襄 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州科技學(xué)院;昆山雙橋傳感器測控技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/18 | 分類號： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215009 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓阻式 高頻 動態(tài) 應(yīng)力 傳感器 | ||
1.壓阻式高頻動態(tài)土應(yīng)力傳感器，包括傳感器殼體（7）、應(yīng)力敏感組件、信號調(diào)理放大電路（11）和引出電纜（13），其特征在于，所述應(yīng)力敏感組件包括基底（1）—絕緣隔離層（2）—應(yīng)變電阻（3）—絕緣保護層（5）構(gòu)成的結(jié)構(gòu)；且所述應(yīng)力敏感組件通過高硼硅玻璃（6）封接于傳感器殼體（7）前端的固支臺階（18）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓阻式高頻動態(tài)土應(yīng)力傳感器，其特征在于,所述基底（1）層為高楊氏模量的不銹鋼膜片,所述傳感器殼體（7）由高質(zhì)量日立合金制成，所述應(yīng)變電阻（3）為半導(dǎo)體應(yīng)變電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓阻式高頻動態(tài)土應(yīng)力傳感器，其特征在于,所述應(yīng)變電阻（3）為摻硼P型微晶硅應(yīng)變電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓阻式高頻動態(tài)土應(yīng)力傳感器，其特征在于,絕緣隔離層（2）和絕緣保護層（5）由二氧化硅絕緣材料制備而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓阻式高頻動態(tài)土應(yīng)力傳感器，其特征在于,所述應(yīng)力敏感組件還包括設(shè)在應(yīng)變電阻外周的調(diào)整電阻。
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