[實用新型]一種半導體發光芯片、及半導體照明燈具

有效

• 申請號: 201320068744.8
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN203205453U
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李剛
• 申請（專利權）人: 羅容
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;F21V29/00;F21Y101/02
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙) 44314
• 代理人: 張約宗;張秋紅

1.一種半導體發光芯片，包括具有第一表面和第二表面的襯底，在所述襯底第一表面有—至少包括n型導電層、發光層和p型導電層的半導體疊層，在所述半導體疊層表面至少有一裸露出部分n型導電層的n型電極臺階和/或n型電極通孔，其特征在于，所述半導體發光芯片的所有裸露的、具有導電性的表面和側面被至少一絕緣層所包裹；

所述絕緣層表面設有裸露的至少一p型電極和至少一n型電極；所述p型電極和n型電極間彼此絕緣，并貫穿所述絕緣層分別與所述p型導電層和n型導電層導電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于，裸露在所述絕緣層表面的所述p型電極的位置處設有一與所述p型電極導電連接并緊貼在所述絕緣層表面的p型焊墊，使部分所述絕緣層被包裹在所述半導體疊層和p型焊墊之間；和/或

裸露在所述絕緣層表面的所述n型電極的位置處設有一與所述n型電極導電連接并緊貼在所述絕緣層表面的n型焊墊，使部分所述絕緣層被包裹在所述半導體疊層和n型焊墊之間。

3.根據權利要求1或2所述的半導體發光芯片，其特征在于，在所述半導體發光芯片四周有一內凹；所述內凹位于所述半導體發光芯片的所述半導體疊層一側，所述內凹底面位于所述襯底第一表面或所述襯底內，所述內凹側面和底面被至少一絕緣層所包裹。

4.根據權利要求3所述的半導體發光芯片，其特征在于，在所述p型導電層表面與所述絕緣層之間有一p型電流擴展層；所述p型電流擴展層與所述p型電極導電連接，所述p型電流擴展層包括p型導電擴展層、p型反射層、p型接觸層中的一種或多種；和/或，

在所述n型電極臺階表面或n型電極通孔底面與所述絕緣層之間有一n型電流擴展層；所述n型電流擴展層與所述n型電極導電連接，所述n型電流擴展層包括n型導電擴展層、n型反射層、n型接觸層中的一種或多種。

5.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述絕緣層的部分或全部含有一光反射層；所述光反射層位于所述絕緣層的中間或位于所述絕緣層的裸露表面。

6.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述襯底為透光襯底；所述襯底第一表面和/或第二表面為平坦光滑表面或結構化表面；所述結構化表面包括錐狀粗糙表面、凹凸表面、金字塔狀表面中的一種或多種；和/或，

所述襯底側面和/或所述半導體疊層側面為與所述襯底第一表面垂直或斜交的光滑平面、光滑曲面、結構化平面、或結構化曲面；所述結構化包括凹凸、鋸齒中的一種或多種。

7.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其特征在于，在所述p型電極與n型電極之間有至少—緊貼在所述絕緣層表面的金屬基導熱焊墊，所述導熱焊墊與所述n型電極和p型電極之間彼此絕緣；和/或，

在所述p型焊墊與n型焊墊之間有至少—緊貼在所述絕緣層表面的金屬基導熱焊墊，所述導熱焊墊與所述n型焊墊和p型焊墊之間彼此絕緣。

8.一種半導體照明燈具，包括散熱燈體、套設安裝在所述散熱燈體外圍的燈罩、安裝在所述散熱燈體上的燈頭、以及固定安裝在所述散熱燈體內的燈板和電源；其特征在于，所述半導體照明燈具還包括權利要求1-7任一項所述的半導體發光芯片；

所述燈板上設置有導電電路，所述導電電路包括至少一p型電極焊盤、至少一n型電極焊盤、以及與外界實現電連接的至少一n型焊點或接點和至少一p型焊點或接點；所述p型電極焊盤與所述半導體發光芯片的p型電極導電相接，所述n型電極焊盤與所述半導體發光芯片的n型電極導電相接。

9.根據權利要求8所述的半導體照明燈具，其特征在于，所述導電電路還包括所述焊盤之間和所述焊盤與焊點或接點之間的互連金屬；

所述燈板上設有導熱焊盤，所述導熱焊盤與所述半導體芯片的導熱焊墊導熱連接；

所述導熱焊盤與所述p型電極焊盤和n型電極焊盤彼此之間絕緣。