[實用新型]等離子處理裝置有效
| 申請號: | 201320067605.3 | 申請日: | 2013-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN203179834U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 趙芝強 | 申請(專利權)人: | 珠海寶豐堂電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾旻輝;王朔 |
| 地址: | 519000 廣東省珠*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 處理 裝置 | ||
1.一種等離子處理裝置,包括真空腔體和等離子體發生組件,其特征在于,所述等離子體發生組件包括:
等離子體發生腔,開設于所述真空腔體腔壁;
電極模組,設置于所述等離子體發生腔內,所述電極模組的放電端正對所述真空腔體內部,所述電極模組由多個平行矩陣排列的管狀電極組成;
微波等離子激勵源,與所述電極模組電連接;
氣體輸送管道,自所述等離子體發生腔側壁連通于所述等離子體發生腔。
2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述真空腔體腔壁設置有至少兩個等離子體發生組件。
3.根據權利要求2所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述真空腔體腔壁設置有兩個等離子體發生組件,分設于所述真空腔體相對的兩腔壁。
4.根據權利要求3所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述兩個等離子體發生組件相對交錯分布于所述真空腔體相對的兩腔壁。
5.根據權利要求4所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述兩個等離子體發生組件包括設置于真空腔體頂部腔壁的第一等離子體發生組件,以及設置于真空腔體底部腔壁的第二等離子體發生組件,所述第一等離子體發生組件和第二等離子體發生組件交錯分布。
6.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述微波等離子激勵源的頻率為2.45GHz。
7.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述真空腔體中部還設有多個輸送輥輪,所述輸送輥輪相互平行。
8.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述輸送輥輪的兩端至少有一端伸出所述真空腔體。
9.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述等離子處理裝置還包括抽真空系統,所述抽真空系統與所述真空腔體連通。
10.根據權利要求7-9任一項所述的等離子處理裝置,其特征在于,所述等離子處理裝置還包括調速裝置,所述調速裝置與所述輸送輥輪連接。
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