[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201320063849.4 | 申請日: | 2013-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN203103303U | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 張春芳;魏燕;徐超;金熙哲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
本實用新型涉及平板顯示技術領域,尤其涉及到一種陣列基板及顯示裝置。
在平板顯示裝置中,薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱TFT?LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無輻射等特點,在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。
目前,TFT?LCD的顯示模式主要有TN(Twisted?Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical?Alignment,垂直取向)模式、IPS(In?Plane?Switching,平面方向轉換)模式和AD?SDS(Advanced?Super?Dimension?Switch,高級超維場轉換技術,簡稱ADS)模式等。
其中,基于ADS模式的顯示器通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場,使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉,從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT?LCD產品的畫面品質,具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優點。
如圖1和圖2所示,以現有的兩種ADS模式的TFT?LCD陣列基板為例,均包括:基板10、設置在基板10上的靜電放電短路環20和鈍化層30,所述靜電放電短路環20包括柵極22、有源層21、源極23、漏極24以及將柵極22和漏極24連接的透明導電層25,且透明導電層25位于所述鈍化層30的上方。
現有技術的缺陷在于,隨著顯示裝置的邊框越來越窄,陣列基板周邊的布線區域越來越窄,部件之間的間隔越來越小。在裝配顯示裝置時,裸露在陣列基板最外面的透明導電層很容易被其他部件劃傷,從而導致陣列基板的靜電導電部分不能正常的工作,影響顯示裝置的質量。
本實用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置,用于避免陣列基板的靜電導導電部分被損壞,從而提高顯示裝置的質量。
本實用新型一種陣列基板,包括:
基板以及設置在基板上的多個靜電放電短路環,所述靜電放電短路環包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、鈍化層,還包括:將柵極和漏極連接的透明導電層,且所述透明導電層位于所述鈍化層的下方。
可選擇的,所述的陣列基板還包括:所述透明導電層位于所述基板和所述柵極絕緣層之間并搭接在柵極上,所述柵極絕緣層具有過孔,所述透明導電層通過過孔與所述漏極連接。
可選擇的,所述的陣列基板還包括:
設置在源極和漏極之上的第二鈍化層;
設置在鈍化層和第二鈍化層之間的平坦化層,所述平坦化層和第二鈍化層包括第一過孔和第二過孔;
所述透明導電層設置于所述平坦化層與所述鈍化層之間,且所述透明導電層通過所述第一過孔與柵極連接,并通過所述第二過孔與漏極連接。
較佳的,所述平坦化層為樹脂層。
本實用新型一種顯示裝置,包括上述任一項陣列基板。
本實用新型一種顯示裝置,包括上述任一項陣列基板。
本實用新型有益效果如下:通過將透明導電層設置在鈍化層的下方,從而避免了透明導電層被顯示裝置內部的其他部件劃傷,提高了陣列基板的安全性能,從而保證了顯示裝置的質量。
圖1為現有技術中ADS模式下陣列基板的結構示意圖;
圖2為現有技術中ADS模式下另一種陣列基板的結構示意圖;
圖3為本實用新型實施例提供的ADS模式下陣列基板的結構示意圖;
圖4為本實用新型實施例提供ADS模式下另一種陣列基板的結構示意圖。
附圖標記:
10?基板??????????20?靜電放電短路環??????????21?有源層
22?柵極??????????23?源極????????????????????24?漏極
25?透明導電層????26?柵極絕緣層??????????????30?鈍化層
40?第二鈍化層????50?平坦化層
為了避免陣列基板的靜電導導電部分被損壞,從而提高顯示裝置的質量。本實用新型實施例提供了一種陣列基板,通過將透明導電層設置到鈍化層的下方,從而避免了透明導電層被顯示裝置中的其他部件的損壞。有效的避免了陣列基板被損壞,保證了顯示裝置的質量。為了使本實用新型的目的、技術方案更加清楚,以下舉實施例對本實用新型作進一步詳細說明。
如圖3所示,圖3為本實用新型實施例提供的陣列基板的結構示意圖,以圖3所示的陣列基板的放置方向為參考方向。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





