[實用新型]一種溝槽型半導體功率器件及其終端保護結構

有效

• 申請號: 201320063126.4
• 申請日: 2013-02-02
• 公開（公告）號: CN203118956U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 丁磊;侯宏偉
• 申請（專利權）人: 張家港凱思半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 張玉平

1.一種溝槽型半導體功率器件的終端保護結構，包括：半導體基板，半導體基板包括第一導電類型襯底及設置在第一導電類型襯底上的第一導電類型外延層，第一導電類型外延層的表面為第一主面，第一導電類型襯底的表面為第二主面；第一主面上覆蓋有絕緣介質層，第一主面在位于中心區域的有源區的外圍設置有終端保護區，所述的終端保護區內設置有至少一個分壓環和位于分壓環外圍的至少一個截止環；其特征在于：

所述的分壓環包括：設置在第一導電類型外延層頂部的第二導電類型分壓深阱，第二導電類型分壓深阱中浮置有至少一個環狀的分壓溝槽，分壓溝槽的內壁上生長有絕緣柵氧化層，分壓溝槽中設置有導電多晶硅；

所述的截止環包括：設置在第一導電類型外延層頂部的第二導電類型截止阱，截止阱的右側頂部設置有第一導電注入層，該第一導電注入層中開設有用于安裝截止環金屬的截止環引出槽。

2.如權利要求1所述的溝槽型半導體功率器件的終端保護結構，其特征在于：所述分壓溝槽的寬度在0.2-2微米之間。

3.如權利要求1或2所述的溝槽型半導體功率器件的終端保護結構，其特征在于：所述分壓溝槽之間的間距在0.5-20微米之間。

4.一種溝槽型半導體功率器件，其特征在于，所述的溝槽型半導體功率器件包括權利要求1所述的溝槽型半導體功率器件終端保護結構，所述的第二主面上設置有漏極；

所述的有源區內設置有若干個相互連通的單胞溝槽，單胞溝槽內設置有導電多晶硅、并聯成等電位；第一導電類型外延層的上部設置有第二導電類型層，位于有源區的第二導電類型層的上部設置有與單胞溝槽外壁接觸的第一導電類型注入層；單胞溝槽的兩側設置有源極引出槽或若干個源極引出孔；所述有源區內覆蓋有源極金屬板，源極金屬板從絕緣介質層表面通過源極引出槽或若干個源極引出孔伸入到第二導電類型層；所述源極金屬板形成所述半導體功率器件的源極；

所述的有源區與終端保護區之間設置有與單胞溝槽相連通的柵極引出槽，柵極引出槽的內壁上生長有絕緣柵氧化層，柵極引出槽內設置有與單胞溝槽內的導電多晶硅相連接的導電多晶硅，柵極引出槽的頂部設置有柵極金屬板，柵極金屬板從絕緣介質層表面伸入柵極引出槽內，與柵極引出槽內的導電多晶硅相連接，形成所述半導體功率器件的柵極。

5.如權利要求4所述的溝槽型半導體功率器件，其特征在于，所述的柵極引出槽與離柵極引出槽最近的分壓溝槽之間的距離為0.5-20微米。