[實用新型]一種電路板蝕刻廢水的堿式氯化銅合成裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320061776.5
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN203128222U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程龍應(yīng)
• 申請（專利權(quán)）人: 清遠(yuǎn)市新綠環(huán)境技術(shù)有限公司
• 主分類號: C01G3/04
• 分類號: C01G3/04
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44295
• 代理人: 黃為

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種廢水回收裝置，特別是一種電路板蝕刻廢水的堿式氯化銅合成裝置。?

背景技術(shù)

酸性氯化銅蝕刻液?

1)?蝕刻機理：?Cu+CuCl₂→Cu₂Cl₂

Cu₂Cl₂+4Cl-→2(CuCl₃)^2-

2)?影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl^-、Cu⁺、Cu2⁺的含量及蝕刻液的溫度等。?

a、Cl^-含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關(guān)系，當(dāng)鹽酸濃度升高時，蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3，并且能夠提高溶銅量。但是，鹽酸濃度不可超過6N，高于6N鹽酸的揮發(fā)量大且對設(shè)備腐蝕，并且隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。?

添加Cl^-可以提高蝕刻速率的原因是：在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時，生成的Cu₂Cl₂不易溶于水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能夠阻止反應(yīng)的進一步進行。過量的Cl^-能與Cu₂Cl₂絡(luò)合形成可溶性的絡(luò)離子(CuCl₃)^2-，從銅表面上溶解下來，從而提高了蝕刻速率。?

b、Cu⁺含量的影響：根據(jù)蝕刻反應(yīng)機理，隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu⁺就會顯著的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu⁺的含量在一個低的范圍內(nèi)。?

c、Cu2⁺含量的影響：溶液中的Cu²⁺含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu²⁺濃度低于2mol/L時，蝕刻速率較低；在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應(yīng)的不斷進行，蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當(dāng)銅含量增加到一定濃度時，蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恒定的蝕刻速率，必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內(nèi)。?

d、溫度對蝕刻速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過高，一般控制在45~55℃范圍內(nèi)。溫度太高會引起HCl過多地?fù)]發(fā)，造成溶液組分比例失調(diào)。另外，如果蝕刻液溫度過高，某些抗蝕層會被損壞。?

堿性氯化銅蝕刻液?

1)?蝕刻機理：?CuCl₂+4NH₃→Cu(NH₃)₄Cl₂

Cu(NH₃)₄Cl₂+Cu→2Cu(NH₃)₂Cl?

2)?影響蝕刻速率的因素：蝕刻液中的Cu²⁺濃度、pH值、氯化銨濃度以及蝕刻液的溫度對蝕刻速率均有影響。?

a、Cu²⁺離子濃度的影響：Cu²⁺是氧化劑，所以Cu²⁺的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。?

b、溶液pH值的影響：蝕刻液的pH值應(yīng)保持在8.0~8.8之間，當(dāng)pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子，溶液要出現(xiàn)沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀，這些泥狀沉淀能在加熱器上結(jié)成硬皮，可能損壞加熱器，還會堵塞泵和噴嘴，給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高，蝕刻液中氨過飽和，游離氨釋放到大氣中，導(dǎo)致環(huán)境污染；同時，溶液的pH值增大也會增大側(cè)蝕的程度，從而影響蝕刻的精度。?