[實用新型]一種適于中高溫熱利用的太陽能選擇性吸收膜系有效
| 申請號： | 201320057164.9 | 申請日： | 2013-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN203249419U | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 陸衛;陳飛良;王少偉;俞立明;劉星星;簡明;郭少令;陳效雙;王曉芳 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所;上海德福光電技術有限公司 |
| 主分類號： | F24J2/48 | 分類號： | F24J2/48;B32B15/04;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/16 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適于 中高 溫熱 利用 太陽能 選擇性 吸收 | ||
【權利要求書】：
1.一種適于中高溫熱利用的太陽能選擇性吸收膜系，其特征在于,膜系的結構為:在基底（1）上自下而上依次為銀膜（2），銅膜（3）、鈦鋁氮氧薄膜（4）、氧化鋅錫銻薄膜（5）以及二氧化硅薄膜（6），即:?
基底/Ag/Cu/TiAlxNyOz/ZnSnSbOx/SiO2
其中：?
所述的基底（1）是Cu箔片、Al箔片、Ni箔片、Cr箔片或不銹鋼箔片；?
所述的Ag膜（2）厚度范圍為100～200nm；?
所述的銅膜（3）厚度范圍為5nm～20nm；?
所述的鈦鋁氮氧薄膜（4）厚度范圍為50nm～150nm；?
所述的氧化鋅錫銻薄膜（5）厚度范圍為40nm～150nm；?
所述的二氧化硅薄膜（6）厚度范圍為50nm～150nm。?
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