[實用新型]一種防竊電裝置

有效

• 申請號: 201320056692.2
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN203119623U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 馬新國
• 申請（專利權）人: 馬新國
• 主分類號: H02J13/00
• 分類號: H02J13/00
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 金輝

1.一種防竊電裝置，包括供電端和用電端以及將供電端與用電端相連接的輸電電線；

其特征在于：在所述的供電端設置有將交流電波波形分開成正半周相位波形和負半周相位波形的分相器，在所述的用電端設置有將交流電波波形的正半周相位波形和負半周相位波形結合恢復成完整交流電波的合相器，所述的輸電電線分別將正半周相位波形和負半周相位波形的交流電波波形從所述的分相器傳送到合相器。

2.根據權利要求1所述的防竊電裝置，其特征在于：

所述的輸電電線包括正半周相位波形傳輸線、負半周相位波形傳輸線和零線傳輸線，其中，正半周相位波形傳輸線和負半周相位波形傳輸線上所傳輸的電流是原相線的一半；所述的分相器包括二極管D1和二極管D2；所述的二極管D1的陽極接電源輸入端，二極管D1的陰極接正半周相位波形傳輸線；所述的二極管D2的陰極接電源輸入端，二極管D2的陽極接負半周相位波形傳輸線；

所述的合相器包括單向可控硅SCR1和單向可控硅SCR2；所述的單向可控硅SCR1的陽極接正半周相位波形傳輸線，單向可控硅SCR1的陰極接輸出端，并單向可控硅SCR2的陽極接輸出端，單向可控硅SCR2的陰極接負半周相位波形傳輸線；所述的單向可控硅SCR1和單向可控硅SCR2的柵極分別接控制電路，所述的控制電路在正半周時控制單向可控硅SCR1導通，在負半周時，控制單向可控硅SCR2導通。

3.根據權利要求2所述的防竊電裝置，其特征在于：所述的控制電路包括相位過零檢測電路、微處理器和光耦隔離觸發電路；

所述的過零檢測電路包括正半周相位波形過零檢測電路和負半周相位波形過零檢測電路；

所述的光耦隔離觸發電路包括觸發單向可控硅SCR1的第一光耦隔離觸發電路和觸發單向可控硅SCR2的第二光耦隔離觸發電路；

所述的正半周相位波形過零檢測電路和負半周相位波形過零檢測電路的輸出分別接所述的微處理器輸入，所述的第一光耦隔離觸發電路和第二光耦隔離觸發電路的控制端分別接所述的微處理器輸出。

4.根據權利要求3所述的防竊電裝置，其特征在于：

所述的正半周相位波形過零檢測電路包括光耦U4、限流電阻R3、擊穿二極管ZD1；所述的光耦U4的輸入發光二極管的陽極通過所述的限流電阻R3接正半周相位波形傳輸線，所述的擊穿二極管的負極接所述的光耦U4的輸入發光二極管的陽極，所述的擊穿二極管的正極接所述的光耦U4的輸入發光二極管的陰極并零線傳輸線；所述的光耦U4的輸出三極管的集電極接所述的微處理器，發射極接地；

所述的負半周相位波形過零檢測電路包括光耦U5、限流電阻R4、擊穿二極管ZD2，所述的光耦U5的輸入發光二極管的陰極通過所述的限流電阻R4接負半周相位波形傳輸線，所述的擊穿二極管ZD2的正極接所述的光耦U5的輸入發光二極管的陰極，所述的擊穿二極管的負極接所述的光耦U5的輸入發光二極管的陽極并接零線傳輸線；所述的光耦U5的輸出三極管的集電極接所述的微處理器，發射極接地。

5.根據權利要求3所述的防竊電裝置，其特征在于：

所述的第一光耦隔離觸發電路包括光耦U1、限流電阻R1；所述的光耦U1輸入端為發光二極管，輸出端為光敏二端開關元件；所述的光耦U1的發光二極管的陽極接電源，陰極接微處理器，所述的光耦U1的光敏二端開關元件的一端通過所述的限流電阻R1接正半周相位波形傳輸線，另一端接所述的單向可控硅SCR1的柵極；

所述的第二光耦隔離觸發電路包括光耦U2、限流電阻R2；所述的光耦U2輸入端為發光二極管，輸出端為光敏二端開關元件；所述的光耦U2的發光二極管的陽極接電源，陰極接微處理器，所述的光耦U2的光敏二端開關元件的一端通過所述的限流電阻R2接合相器輸出端，經負載接零線傳輸線；另一端接所述的單向可控硅SCR2的柵極。

6.根據權利要求2至5中任一所述的防竊電裝置，其特征在于：還包括與控制中心的通信端口，所述的微處理器通過所述的通信端口與控制中心相連，控制中心通過通信端口對合法用戶的防竊電裝置進行授權，利用微處理器使所述的第一、二光耦隔離觸發電路輪流輸出觸發脈沖，使SCR1、SCR2輪流導通。