[實(shí)用新型]嵌入式存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320054515.0
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN203118946U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志雄;胡宏輝;何宏
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市江波龍電子有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H05K1/18
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種嵌入式存儲裝置。背景技術(shù)

現(xiàn)有的嵌入式存儲裝置，如eMCP（embedded?multi-chip?package，內(nèi)嵌式內(nèi)存）、SDRAM（Synchronous?Dynamic?Random?Access?Memory，同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的封裝結(jié)構(gòu)一般如圖1所示。在這種封閉結(jié)構(gòu)中，各個(gè)元器件100′分散焊接在第一印刷電路板200′上，這樣占用了第一印刷電路板200′表面較大的面積，導(dǎo)致采用封裝體300′封裝后整個(gè)嵌入式存儲裝置體積較大，從而也限制了其應(yīng)用場合，如不能靈活的應(yīng)用在一些小巧精致的電子產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)中。而且，這種結(jié)構(gòu)中，各個(gè)元器件100′通過導(dǎo)線400′與第一印刷電路板200′電性連接，一般情況下，所用導(dǎo)線100′為金線材質(zhì)，由于其連接跨度較大，容易導(dǎo)致信號不好并且不利于生產(chǎn)，提高生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供一種占用空間小、封裝結(jié)構(gòu)合理優(yōu)化、應(yīng)用廣泛的嵌入式存儲裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：提供一種嵌入式存儲裝置，包括第一印刷電路板、置于所述第一印刷電路板上且與其電性連接的元器件以及將所述第一印刷電路板及元器件封裝于一體的封裝體，所述元器件至少有兩個(gè)，且所述元器件包括置于所述第一印刷電路板上的第一元器件及絕緣疊置于所述第一元器件上的第二元器件，所述第一元器件與所述第一印刷電路板接觸的表面設(shè)有第一焊盤，所述第一印刷電路板遠(yuǎn)離所述第一元器件的表面上設(shè)有第二焊盤，所述第一元器件的第一焊盤上連接第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線穿過所述第一印刷電路板與所述第二焊盤電連接，所述第二元器件與所述第一印刷電路板電性連接。

具體地，所述第一導(dǎo)線為兩排，所述兩排第一導(dǎo)線與所述第一元器件的第一焊盤電連接的一端分別連接于不同的焊點(diǎn)上，所述兩排第一導(dǎo)線與所述第二焊盤電連接的另一端分別連接于不同的焊點(diǎn)上。

進(jìn)一步地，所述第一印刷電路板上設(shè)有上、下貫穿的通槽，所述兩排第一導(dǎo)線穿過所述通槽。

更進(jìn)一步地，所述第一印刷電路板第二焊盤所在的表面上且對應(yīng)所述通槽處設(shè)有膠體，所述膠體上設(shè)有用于容置且保護(hù)所述第一導(dǎo)線與所述第二焊盤電連接焊點(diǎn)的凹槽。

更進(jìn)一步地，所述第一印刷電路板第二焊盤所在的表面設(shè)有若干可與外部電子產(chǎn)品電連接的焊球。

具體地，所述第二元器件遠(yuǎn)離所述第一元器件的表面設(shè)有第三焊盤，所述第一印刷電路板上與所述第二焊盤所在表面相對的另一表面設(shè)有第四焊盤，所述第三焊盤與所述第四焊盤之間通過第二導(dǎo)線電連接。

進(jìn)一步地，所述第一元器件有兩個(gè)，所述第二元器件跨置于所述兩個(gè)第一元器件頂部。

更進(jìn)一步地，還包括第三元器件，所述第三元器件絕緣置于其中一第一元器件上，所述第一印刷電路板的第四焊盤所在的表面還設(shè)有第五焊盤，所述第三元器件通過第三導(dǎo)線與第五焊盤電連接。

或者，還包括第三元器件及第二印刷電路板，所述第二印刷電路板絕緣疊置于其中一第一元器件上，所述第三元器件絕緣置于所述第二印刷電路板上，所述第二元器件通過第四導(dǎo)線與所述第二印刷電路板電連接，所述第二印刷電路板通過第五導(dǎo)線與所述第一印刷電路板電連接，所述第三元器件通過第六導(dǎo)線與所述第二印刷電路板電連接。

優(yōu)選地，所述第一元器件為DDR存儲器，所述第二元器件為閃存模塊，所述第三器件為主控芯片。

本實(shí)用新型中，通過元器件的疊放優(yōu)化嵌入式存儲裝置內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，從而減小其占用體積，使得嵌入式存儲裝置能靈活的應(yīng)用在更多的小型電子產(chǎn)品上。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種嵌入式存儲裝置的剖視圖；

圖2是本實(shí)用新型提供的嵌入式存儲裝置的第一實(shí)施例剖視圖；

圖3是本實(shí)用新型提供的嵌入式存儲裝置的第二實(shí)施例剖視圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。