[實(shí)用新型]一種薄膜太陽能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320048232.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203179908U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅偉;臧曉丹;徐國富;潘若宏;李昌齡;余欽章;唐維泰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通用光伏能源(煙臺(tái))有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0232 | 分類號(hào): | H01L31/0232 |
| 代理公司: | 煙臺(tái)雙聯(lián)專利事務(wù)所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 梁翠榮 |
| 地址: | 265500 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種薄膜太陽能電池,特別是一種含有上轉(zhuǎn)換材料的薄膜太陽能電池。
背景技術(shù)
太陽能電池特別是薄膜太陽能電池具有諸多優(yōu)點(diǎn),如無污染、易于與建筑相結(jié)合等,其能量來源太陽能,可再生且能源巨大。
薄膜太陽能電池的發(fā)電效率目前還受到多種因素的限制,其中一個(gè)主要因素是每種薄膜電池只能響應(yīng)某段波長的光。例如晶硅/非晶硅薄膜太陽能電池在550nm~800nm的波段光譜響應(yīng)非常理想,但小于500nm和大于850nm的光幾乎不吸收,這就會(huì)造成太陽能的浪費(fèi),特別是波長大于850nm的部分,在AM(大氣質(zhì)量)為1.5,太陽輻照量為1000W/m2時(shí),波長大于850nm的光功率大約為273.5W/m2,占太陽能總功率的27.35%。
上轉(zhuǎn)換材料是能將吸收的長波長的光轉(zhuǎn)化為短波長的光發(fā)射出來的光致發(fā)光材料,如果將上轉(zhuǎn)換材料與薄膜太陽能電池相結(jié)合,將太陽能電池不能吸收的長波長光轉(zhuǎn)化為其可以吸收的短波長光,將有效提高薄膜太陽能電池的發(fā)電效率。目前,如何將上轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用于薄膜太陽能電池還沒有很好的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是想提供一種新的薄膜太陽能電池,該薄膜太陽能電池因含有上轉(zhuǎn)換材料,能將太陽能電池不能吸收的長波長光轉(zhuǎn)化為短波長光,提高薄膜太陽能電池的發(fā)電效率。其加工方法簡單,便于操作。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的上述目的所采用的技術(shù)方案是:一種薄膜太陽能電池,包括基板、沉積在基板上的前電極、沉積在前電極上的發(fā)電層、沉積在發(fā)電層上的透明或半透明背電極、覆蓋在背電極上的封裝膜,覆蓋在封裝膜上的背板,其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為在封裝膜里設(shè)有上轉(zhuǎn)換材料。
所述的上轉(zhuǎn)換材料為:本領(lǐng)域內(nèi)的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的任何可用的材料,比如NaYF4:Er,Yb,即鐿鉺雙摻時(shí),Er做激活劑,Yb作為敏化劑。
采用粉末狀的上轉(zhuǎn)換材料,可均勻地?fù)诫s在封裝膜里。
本實(shí)用新型由于在封裝膜中設(shè)有上轉(zhuǎn)換材料,因而,能將普通薄膜太陽能電池不能吸收的長波長光轉(zhuǎn)化為短波長光,沒有被發(fā)電層吸收的部分長波長光透過透明背電極或半透明背電極經(jīng)封裝膜時(shí),被上轉(zhuǎn)換材料吸收并轉(zhuǎn)化為短波長光經(jīng)封裝膜反射后,被發(fā)電層吸收并轉(zhuǎn)化為電能,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率的提高,提高薄膜太陽能電池的發(fā)電效率。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,易于加工與操作。
附圖說明
附圖1為本實(shí)用新型方一種實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
由圖1可以看出,本實(shí)用新型包括基板1、沉積在基板1上的前電極2、沉積在前電極2上的發(fā)電層3、沉積在發(fā)電層3上的透明或半透明背電極4、覆蓋在背電極4上的封裝膜5,覆蓋在封裝膜5上的背板6,封裝膜5里摻雜有上轉(zhuǎn)換材料粉末7。上轉(zhuǎn)換材料粉末7均勻地?fù)诫s在封裝膜5內(nèi)。
本實(shí)用新型所述的基板1、前電極2、發(fā)電層3、背電極4、封裝膜5及背板6均可采用本領(lǐng)域內(nèi)的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的任何可用的材料,發(fā)電層若采用硅系、CIS系、CIGS系、GeTe系薄膜太陽能電池發(fā)電區(qū),可提高薄膜電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





