[實(shí)用新型]自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320044844.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203191868U | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳柯;劉松;楊飛琴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 香港中國模擬技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/56 | 分類號(hào): | G05F1/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜娟娟;朱海煜 |
| 地址: | 中國香港德輔道中*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 校準(zhǔn) 電流 系統(tǒng) | ||
1.一種自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),包括電流源,其特征在于,所述自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng)還包括:
自校準(zhǔn)電阻陣列,其以與所述電流源的內(nèi)部電阻陣列關(guān)聯(lián)的方式設(shè)置;
比較器,其將所述自校準(zhǔn)電阻陣列的電壓與所述芯片的輸出終端電阻的電壓進(jìn)行比較;以及
控制模塊,其接收所述比較器的比較結(jié)果,據(jù)此輸出控制信號(hào)以控制自校準(zhǔn)電阻陣列及與所述自校準(zhǔn)電阻陣列關(guān)聯(lián)的所述內(nèi)部電阻陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,所述自校準(zhǔn)電阻陣列中的單元電阻與所述內(nèi)部電阻陣列中的單元電阻一一對(duì)應(yīng)。
3.如權(quán)利要求2所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,所述內(nèi)部電阻陣列中的各單元電阻的電阻值是與其對(duì)應(yīng)的自校準(zhǔn)電阻陣列中的單元電阻的電阻值的k倍。
4.如權(quán)利要求2所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,所述自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng)還包括:
第一開關(guān)器件組,其設(shè)置在所述內(nèi)部電阻陣列與所述控制模塊之間,并依據(jù)所述控制信號(hào)通或斷;以及
第二開關(guān)器件組,其設(shè)置在所述自校準(zhǔn)電阻陣列和所述控制模塊之間,并依據(jù)所述控制信號(hào)通或斷。
5.如權(quán)利要求4所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,所述第一開關(guān)器件組中的各開關(guān)器件分別設(shè)置在所述內(nèi)部電阻陣列的一個(gè)單元電阻與所述控制模塊之間,所述第二開關(guān)器件組中的各開關(guān)器件分別設(shè)置在自校準(zhǔn)電阻陣列的一個(gè)單元電阻與控制模塊之間,從而使得第一開關(guān)器件組中的開關(guān)器件與第二開關(guān)器件中的開關(guān)器件一一對(duì)應(yīng)。
6.如權(quán)利要求5所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,到所述第一開關(guān)器件組中的各開關(guān)器件的控制信號(hào)與到第二開關(guān)器件組中與該開關(guān)器件對(duì)應(yīng)的開關(guān)器件的控制信號(hào)相同。
7.如權(quán)利要求1所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,所述控制模塊由可逆計(jì)數(shù)器和控制邏輯構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的自校準(zhǔn)電流源系統(tǒng),其特征在于,所述比較器為雙差分時(shí)鐘鎖存比較器。
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