[實用新型]陣列基板及X射線平板探測器

有效

• 申請號: 201320044606.6
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN203055911U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 閻長江;李田生;徐少穎;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/786;H01L29/10
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及光電技術領域，尤其涉及一種陣列基板及X射線平板探測器。

背景技術

目前，常見的非晶硅X射線平板探測器是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X射線探測器。X射線探測器包括陣列基板，該陣列基板中包括薄膜晶體管(TFT，Thin?Flim?Transistor)和光電二極管，在X射線的照射下，探測器的閃爍體層或熒光體層將X射線光子轉換為可見光，然后在光電二極管的作用下將可見光轉換為電信號，薄膜晶體管讀取電信號并將電信號輸出得到顯示圖像，其中，薄膜晶體管中溝道的關閉和導通可以控制薄膜晶體管對電信號的儲存和讀取，因此薄膜晶體管的性能在此時尤為重要。

通常，薄膜晶體管中的溝道位于半導體的有源層內，具體地，如圖1所示，陣列基板中基板1′上沉積有柵線層2′，柵線層2′包括柵極2a′和柵線，且柵線層上沉積有柵絕緣層3′，柵絕緣層3′的上方沉積有源層4′(如非晶硅層，也稱a-si)，有源層4′的上方沉積有歐姆接觸層(如摻雜非晶硅層，也稱n+a-si)，歐姆接觸層5′上方沉積有數據線層6′，通過構圖工藝，形成有數據線、源極6a′、漏極6b′以及溝道。但當有源層采用半導體材料時，載流子遷移速率低，不利于溝道的導通。另外，半導體有源層與柵絕緣層接觸并形成界面，載流子會被由半導體有源層與柵絕緣層形成的界面捕獲，且捕獲效應比較大，這樣就會降低載流子的數量以及密度，導致閥值電壓相對較大，進而使得薄膜晶體管的穩定性相對較弱。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種陣列基板及X射線平板探測器，可以利于溝道的導通以及增強薄膜晶體管的穩定性。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一種陣列基板，包括：

基板；

形成于所述基板上的柵線層，所述柵線層包括柵極以及與所述柵極連接的柵線；

形成于所述柵線層上方的柵絕緣層；

形成于所述絕緣層上方的有源層；

形成于所述有源層上方的數據線層，所述數據線層包括源極、漏極以及與所述源極連接的數據線，所述數據線與所述柵線交叉，其中，所述有源層包括導體層和半導體層，所述導體層形成于所述柵絕緣層的上方，所述半導體層包裹所述導體層。

優選地，所述導體層材料為銦鎵鋅氧化物導體，所述半導體層材料為銦鎵鋅氧化物半導體。

進一步地，相鄰的所述柵線和所述數據線交叉的區域內限定有像素區域，所述像素區域內設有光電二極管，所述光電二極管的下端與所述漏極電連接、上端電連接有偏置電極層。

進一步地，所述光電二極管的上端設有透明導電層，所述透明導電層的上方設有第一鈍化層，所述第一鈍化層設有過孔，且所述第一鈍化層的上方設有偏置電極層，所述透明導電層通過所述過孔與偏置電極層電連接。

進一步地，所述偏置電極層的上方設有第二鈍化層。

一種X射線探測器，包括X射線源以及探測裝置，所述探測裝置包括上述的陣列基板。

本實用新型實施例提供的陣列基板及X射線平板探測器，其中，所述陣列基板的有源層包括導體層和半導體層，所述導體層形成于所述柵絕緣層的上方，所述半導體層包裹所述導體層，使得所述半導體層與所述導體層接觸并形成界面，這樣可以提高載流子遷移速率，有利于溝道的導通，而且該界面的接觸層缺陷相對較少，使得其對載流子的捕獲效應降低，從而提高薄膜晶體管中載流子的數量以及濃度，進而可以降低閥值電壓，提高薄膜晶體管的穩定性。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術X射線平板探測器中陣列基板的示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的陣列基板的示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的陣列基板的制作流程圖；

圖4為本實用新型實施例提供的X射線平板探測器中陣列基板的制作流程圖；

圖4a-圖4g為本實用新型實施例中制作X射線平板探測器中陣列基板的流程示意圖。

附圖標記：