[實用新型]多層陶瓷電路基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320039956.3
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN203057702U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬金彪
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州斯?fàn)柼匚㈦娮佑邢薰?/a>
• 主分類號: H05K1/18
• 分類號: H05K1/18;H05K1/09;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種多層陶瓷電路基板，屬于電路板技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

陶瓷基板目前被普遍地應(yīng)用于電子產(chǎn)業(yè)中，作為一種重要的電路板板材，例如LED陶瓷基板，其透過于表面電鍍而可進(jìn)一步在基板的兩面上做布設(shè)、配置電路等等動作。現(xiàn)有陶瓷基板具有高散熱性以及耐腐蝕、具有較高的絕緣性能和優(yōu)異的高頻特性、膨脹系數(shù)低，化學(xué)性能穩(wěn)定且熱導(dǎo)率高，無毒等優(yōu)點；但存在以下技術(shù)問題：

在現(xiàn)有技術(shù)中的陶瓷基板電路制程上，需要將基板兩面上的相互分離電路點做導(dǎo)通連接或者是做基板兩面間的導(dǎo)熱處理時，容易發(fā)生于連接孔中未完全填滿而有孔洞，從而在產(chǎn)品的良率控管上有其瓶頸；且連接孔內(nèi)往往為單一金屬，電阻率較高，影響產(chǎn)品的響應(yīng)時間。

其次，普通陶瓷電路板由于其同時具有高硬度的特性，所以質(zhì)脆，機(jī)加工難度大，同時由于其表面平整，不易通過電鍍實現(xiàn)層間導(dǎo)通也難于與其它層有效結(jié)合形成多層電路板；再次，傳統(tǒng)的電路板優(yōu)點單一，不能同時擁有高導(dǎo)熱率，高集成度等功能，不能滿足市場對電路板具有高連接性，高密度，導(dǎo)熱性好的需求。因此，如何解決上述技術(shù)問題，成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員努力的方向。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型目的是提供一種多層陶瓷電路基板，該多層陶瓷電路基板減小了連通孔電阻率和基板信號響應(yīng)時間，且大大降了連接孔內(nèi)的金屬表面產(chǎn)生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率。

為達(dá)到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是：一種多層陶瓷電路基板，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有一金屬圖形層，所述氮化鋁基片中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔，此連通孔內(nèi)填充有金屬柱，此金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成；一銀漿焊接層覆蓋于所述氮化鋁基片上表面并位于連通孔正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層固定于所述銀漿焊接層與連通孔相背的表面。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案如下：

作為優(yōu)選，所述氮化鋁基片和氧化鋁基片的厚度比為1：1.2~1.5。

作為優(yōu)選，所述銅柱的直徑與鎢層的厚度比為1：0.4~0.6。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果：

本實用新型多層陶瓷電路基板，其連接氮化鋁基片中上、下表面的金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成，減小了連通孔電阻率和基板信號響應(yīng)時間，也有效防止銅的擴(kuò)散，大大提高了產(chǎn)品的可靠性；其次，其銀漿焊接層覆蓋于所述氮化鋁基片上表面并位于連通孔正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層固定于所述銀漿焊接層與連通孔相背的表面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內(nèi)的金屬表面產(chǎn)生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；再次，陶瓷燒結(jié)體由氮化鋁基片和氧化鋁基片組成，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有一金屬圖形層，具有高品質(zhì)因數(shù)，從而降低了高頻損耗，且具有穩(wěn)定的溫度系數(shù)。

附圖說明

附圖1為本實用新型多層陶瓷電路基板結(jié)構(gòu)示意圖。

以上附圖中：1、氮化鋁基片；2、氧化鋁基片；3、金屬圖形層；4、連通孔；5、金屬柱；51、銅柱；52、鎢層；6、銀漿焊接層；7、銅電路層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步描述：

實施例1：一種多層陶瓷電路基板，包括氮化鋁基片1和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片1的下表面和氧化鋁基片2的上表面之間具有一金屬圖形層3，所述氮化鋁基片1中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔4，此連通孔4內(nèi)填充有金屬柱5，此金屬柱5由位于中心的銅柱51和包覆于銅柱51四周的鎢層52組成；一銀漿焊接層6覆蓋于所述氮化鋁基片1上表面并位于連通孔4正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層7固定于所述銀漿焊接層6與連通孔4相背的表面。

上述氮化鋁基片1和氧化鋁基片2的厚度比為1：1.3。

實施例2：一種多層陶瓷電路基板，包括氮化鋁基片1和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片1的下表面和氧化鋁基片2的上表面之間具有一金屬圖形層3，所述氮化鋁基片1中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔4，此連通孔4內(nèi)填充有金屬柱5，此金屬柱5由位于中心的銅柱51和包覆于銅柱51四周的鎢層52組成；一銀漿焊接層6覆蓋于所述氮化鋁基片1上表面并位于連通孔4正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層7固定于所述銀漿焊接層6與連通孔4相背的表面。

上述氮化鋁基片1和氧化鋁基片2的厚度比為1：1.4；上述銅柱51的直徑與鎢層52的厚度比為1：0.5。