[實(shí)用新型]AMOLED低摻雜度漏極TFT制作工序中的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320039137.9
• 申請(qǐng)日: 2013-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN203085559U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙大庸;徐正勛;郭鐘云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹視顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板（AMOLED，Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode）用低摻雜度漏極TFT制作工序中的結(jié)構(gòu)。?

背景技術(shù)

AMOLED與液晶顯示面板（LCD，Liquid?Crystal?Display）不同，AMOLED的驅(qū)動(dòng)方式采用的是電流驅(qū)動(dòng)。因此TFT的電氣特性相當(dāng)重要，尤其是載流子（carrier）的遷移率特性良好才有利。通常用于AMOLED驅(qū)動(dòng)的硅薄膜晶體管（Si-TFT）大致可分為非晶硅薄膜晶體管（a-Si?TFT）和多晶硅薄膜晶體管（p-Si?TFT），非晶硅薄膜晶體管（a-Si?TFT）的生產(chǎn)率突出，均勻性也高，多晶硅TFT（p-Si?TFT）的載流子（carrier）遷移率特性優(yōu)秀。所以p-Si?TFT更適合用于AMOLED。?

p-Si?TFT的制作工藝包括低溫結(jié)晶，其低溫結(jié)晶化方法通常分為利用激光（Laser）的方法和Non?Laser的方法。Laser的結(jié)晶化方法的優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)晶粒都能顯示出完整的硅的特性，但是Laser自身的穩(wěn)定性問題導(dǎo)致的TFT特性的均勻性（Uniformity）變化程度嚴(yán)重，而且激光源（Laser?source）不適用于大面積的面板制作，并且設(shè)備本身的成本較高。相反，Non-Laser的結(jié)晶化方法相比Laser方式在電氣特性方面上略有不足，但也有能節(jié)約費(fèi)用，晶粒的均勻度也優(yōu)秀，也易于適用于大面積顯示上的優(yōu)點(diǎn)。?

為了更好地滿足AMOLED像素驅(qū)動(dòng)的需求，有人提出了使用低摻雜度漏極TFT的方案，所述方案能有效提高AMOLED像素驅(qū)動(dòng)的效果。目前使TFT形成低摻雜度漏極存在多種工藝方法通常包括依次在玻璃基板上：1、用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD，Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition）蒸鍍氧化物緩沖層，2、通過PECVD或低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD，Low?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition）蒸鍍非晶硅（a-Si），3、利用原子層沉積（ALD，Atomic?Layer?Deposition）設(shè)備蒸鍍Ni原子單位或用sputter蒸鍍Ni，4、在結(jié)晶爐中結(jié)晶化非晶硅以及制作硅圖案、蒸鍍柵極絕緣層等步驟，然后進(jìn)行離子摻雜、活性化、層間絕緣層沉積及接觸孔圖案制作、源/漏極金屬沉積及排線圖案制作、鈍化層沉積及接觸孔圖案制作、ITO沉積和陽極圖案制作及光刻膠保護(hù)層圖案制作等步驟完成TFT制作。?

但是如上的制造方法，其器件大小接近于納米領(lǐng)域，產(chǎn)生了熱載流子效應(yīng)。這是因?yàn)樵磁c漏間的距離太小，導(dǎo)致電場(chǎng)的大小增加，不能阻止不純物對(duì)溝道的侵入，所以會(huì)根據(jù)其擴(kuò)散程度，溝道的尺寸變化嚴(yán)重，寬度變窄，從而導(dǎo)致較高的漏電流。?

其原因在于上述制作工藝中，通過離子注入形成的TFT漏極效果不佳。而離子注入形成TFT漏極的效果與離子注入之前的制作工藝形成的TFT結(jié)構(gòu)有較大關(guān)系。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是為了解決AMOLED用TFT的制作工藝中離子注入前的TFT結(jié)構(gòu)的缺陷導(dǎo)致的離子注入形成的TFT漏極效果不佳的問題，提出了一種AMOLED低摻雜度漏極TFT制作工序中的結(jié)構(gòu)。?

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：一種AMOLED低摻雜度漏極TFT制作工序中的結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板及依次覆蓋于玻璃基板上的氧化物緩沖層、非晶硅層、柵極絕緣層、柵極金屬層和絕緣膜，其特征在于，所述柵極絕緣層和柵極金屬層呈金字塔狀覆蓋于非晶硅層上，所述絕緣膜包括直接覆蓋于非晶硅層上的平面區(qū)和覆蓋于金字塔狀的柵極絕緣層和柵極金屬層斜面的斜面區(qū)，所述柵極絕緣層和柵極金屬層在非晶硅層的正投影區(qū)邊緣包含于所述斜面區(qū)在非晶硅層的正投影區(qū)。?

上述絕緣膜包括第一絕緣膜和第二絕緣膜，所述第一絕緣膜和第二絕緣膜通過兩次蒸鍍結(jié)合在一起，所述TFT具有低摻雜度漏極。?

本實(shí)用新型的有益效果：通過控制絕緣膜形成斜面區(qū)和平面區(qū)組合的特殊結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)在經(jīng)過離子注入等后續(xù)工序后自然形成具備低摻雜度漏極的AMOLED用TFT，采用分兩次蒸鍍絕緣膜的手段減小了離子注入對(duì)絕緣膜的影響。?

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的TFT制作工序中一次蒸鍍絕緣膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖2為本實(shí)用新型的TFT制作工序中離子注入示意圖；?

圖3為本實(shí)用新型的TFT制作工序中二次蒸鍍絕緣膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖4為本實(shí)用新型的AMOLED低摻雜度漏極TFT結(jié)構(gòu)示意圖。?