[實用新型]用于OLED顯示屏的像素結構及其金屬掩膜板及OLED顯示屏有效
| 申請號: | 201320037991.1 | 申請日: | 2013-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN203260585U | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 彭兆基;邱勇;張伸福 | 申請(專利權)人: | 昆山維信諾顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 張瑾 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 oled 顯示屏 像素 結構 及其 金屬 掩膜板 | ||
1.一種用于OLED顯示屏的像素結構,其包括多行像素單元組,每個所述像素單元組包括依次重復排列的多個像素單元;每個所述像素單元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;其特征在于:
相鄰兩行的所述像素單元中的相同子像素沿水平方向呈錯位排列。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:
每個所述像素單元中的所述第二子像素及第三子像素沿所述第一子像素的其中一邊排成一列;
偶數行所述像素單元組中的所述像素單元按照奇數行的所述像素單元組的像素單元水平翻轉180度形成其所述第一、第二、第三子像素的排列方式。
3.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:
每個所述像素單元中的所述第二子像素及第三子像素沿所述第一子像素的其中一邊排成一列;
偶數行所述像素單元組對于奇數行的所述像素單元組沿水平方向平移一第一距離排列。
4.根據權利要求2所述的像素結構,其特征在于:
偶數行所述像素單元組對于奇數行的所述像素單元組沿水平方向向左平移一第二距離排列或向右平移一第三距離排列。
5.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:
每個所述像素單元中的第一子像素、第二子像素、第三子像素按照一定的順序排列;
奇數行的所述像素單元的子像素的排列順序與偶數行的所述像素單元中的子像素的排列順序不同。
6.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于:
每個所述像素單元中的第一子像素、第二子像素、第三子像素依次并排排列;
偶數行所述像素單元組對于奇數行的所述像素單元組沿水平方向平移一第一距離排列。
7.根據權利要求6所述的像素結構,其特征在于:
偶數行所述像素單元組對于奇數行的所述像素單元組沿水平方向向左平移一第二距離或向右平移一第三距離排列。
8.根據權利要求2-7之一所述的像素結構,其特征在于:
所述第一子像素、第二子像素和第三子像素為矩形。
9.根據權利要求8所述的像素結構,其特征在于:
所述像素單元為正方形;
所述第一子像素為長方形;
所述第二子像素和第三子像素沿所述第一子像素的長邊上下排列;
所述第一子像素的長邊長度大于所述像素單元邊長的三分之二。
10.?根據權利要求9所述的像素結構,其特征在于:
所述第一子像素的面積大于所述第二子像素和第三子像素的面積,且小于所述像素單元面積的一半。
11.?根據權利要求10所述的像素結構,其特征在于:
所述第一子像素的面積為所述第二子像素和第三子像素中至少一個子像素面積的兩倍。
12.?根據權利要求9所述的像素結構,其特征在于:
所述第二或第三子像素的面積大于其余兩個子像素的面積。
13.?根據權利要求12所述的像素結構,其特征在于:
所述第二或第三子像素的面積為其余兩個子像素中至少一個子像素的面積的2倍。
14.?根據權利要求3或6所述的像素結構,其特征在于:
所述沿水平方向平移的第一距離的范圍為使得相鄰兩行之間的相同子像素沿水平方向錯位排列。
15.?根據權利要求4或7所述的像素結構,其特征在于:
所述向左平移的第二距離或向右平移的第三距離使得相鄰兩行之間的相同子像素沿水平方向錯位排列。
16.根據權利要求1、3、4、6、或7所述的像素結構,其特征在于:
偶數行的所述像素單元與奇數行的所述像素單元中第一子像素之間沿水平方向錯位的范圍使得偶數行的第一子像素與其相鄰奇數行的相鄰兩個第一子像素的距離相等。
17.?根據權利要求10所述的像素結構,其特征在于:所述第一子像素為藍色像素。
18.?根據權利要求17所述的像素結構,其特征在于:所述第二子像素為紅色像素,所述第三子像素為綠色像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





