[實用新型]電容式觸摸屏傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320036593.8
• 申請日: 2013-01-23
• 公開（公告）號: CN203133797U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 劉紅娟;王海生;丁小梁;趙衛(wèi)杰;任濤;吳俊緯
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

技術(shù)領域

本實用新型涉及觸摸屏技術(shù)，具體涉及一種電容式觸摸屏傳感器。

背景技術(shù)

在傳統(tǒng)的單側(cè)氧化銦錫（SITO，Single?ITO）電容觸摸屏傳感器（Sensor）中，采用SiO₂或SiN_x作為絕緣層時，大面積刻蝕容易造成絕緣層殘留。為了避免絕緣層殘留對傳感器功能產(chǎn)生影響，電容式觸摸屏傳感器一般采用大面積絕緣層隔開第二橫向?qū)щ妼优c第二縱向?qū)щ妼印D1及圖2為現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的平面圖及剖面圖。如圖1及圖2所示，電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)由下至上包括基板10、位于基板10表面的第一導電層11、位于第一導電層11及基板10上的第一絕緣層（SiO₂/SiN_x）12、位于第一絕緣層12及第一導電層11上的第二導電層（ITO）13及位于第二導電層13及第一絕緣層12上的第二絕緣層（SiO₂/SiN_x）14，其中，第二導電層13包括第二橫向?qū)щ妼樱↖TO-X）13A及第二縱向?qū)щ妼樱↖TO-Y）13B，第二橫向?qū)щ妼?3A與第二縱向?qū)щ妼?3B通過第二絕緣層14隔開，第二縱向?qū)щ妼?3B直接導通，第二橫向?qū)щ妼?3A通過金屬/ITO（氧化銦錫）橋進行連接，第一導電層11與第二橫向?qū)щ妼?3A之間通過第一絕緣層12上的過孔15連通。

從圖1及圖2看出，現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的結(jié)構(gòu)中，第一絕緣層幾乎覆蓋了基板上除過孔外的所有區(qū)域，再加上最外層的第二絕緣層，使得電容式觸摸屏傳感器的大部分區(qū)域的膜層厚度較厚，從而使觸摸屏傳感器整體的透過率較低，若采用SiN_x作為第一絕緣層，則觸摸屏將具有較深的顏色。

圖3及圖4為理論上透過率較高的電容式觸摸屏傳感器的平面圖及剖面圖。如圖3及圖4所示，理論上透過率較高的電容式觸摸屏傳感器自下而上包括基板20、位于基板20表面的第一導電層21、位于第一導電層21上的第一絕緣層22、位于第一絕緣層22、第一導電層21及基板20上的第二導電層23及位于第二導電層23及第一絕緣層22上的第二絕緣層24，其中，第二導電層23包括第二橫向?qū)щ妼?3A與第二縱向?qū)щ妼?3B，第二縱向?qū)щ妼?3B直接導通，理論上透過率較高的電容式觸摸屏傳感器與現(xiàn)有常用的電容式觸摸屏傳感器的區(qū)別在于，理論上透過率較高的電容式觸摸屏傳感器的第一絕緣層22上沒有過孔，第一導電層21與第二縱向?qū)щ妼?3B直接連接，第二橫向?qū)щ妼?3A通過金屬橋進行連接，第一絕緣層22的覆蓋區(qū)域面積較小（僅覆蓋第一導電層11的部分區(qū)域），從而減小了觸摸屏傳感器大部分區(qū)域的膜層厚度，提高了觸摸屏傳感器整體的透過率，也避免了采用SiN_x作為第一絕緣層時觸摸屏具有較深顏色的問題，但由于第一絕緣層的覆蓋面積較小，導致第一絕緣層的刻蝕工藝難度加大，較難進行量產(chǎn)，且由于第一絕緣層僅覆蓋第一導電層的部分區(qū)域，也使得刻蝕第一絕緣層時容易將第一導電層刻蝕，使產(chǎn)品的合格率降低，同時第一導電層也不能得到第一絕緣層的充分保護，從而對產(chǎn)品的質(zhì)量產(chǎn)生影響。

因此，如何提供一種透過率較高且容易實現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)的電容式觸摸屏傳感器成為本領域亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種電容式觸摸屏傳感器，減少電容式觸摸屏傳感器的絕緣層的覆蓋面積，提高透過率，且利于實現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)。

為了達到上述目的，本實用新型提供一種電容式觸摸屏傳感器，所述電容式觸摸屏傳感器包括：

基板，

位于基板表面的第一導電層，

位于所述第一導電層及所述基板上的第一絕緣層，

位于所述第一絕緣層、所述第一導電層及所述基板上的第二導電層，以及

位于所述第二導電層及所述第一絕緣層上的第二絕緣層；

其中，所述第一絕緣層上設有過孔，所述第二導電層與所述第一導電層通過所述過孔連通，所述第一絕緣層設置為至少覆蓋所述第一導電層上除所述過孔之外的所有區(qū)域，且覆蓋部分基板表面。

進一步地，所述第二導電層包括第二橫向?qū)щ妼蛹暗诙v向?qū)щ妼樱龅诙M向?qū)щ妼踊蛩龅诙v向?qū)щ妼油ㄟ^所述過孔與所述第一導電層連通。

進一步地，所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層的材料為SiN_x或SiO₂。