[實(shí)用新型]一種防逆流電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320035669.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN203313144U
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳國華;陳超祖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海能達(dá)通信股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 唐華明

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種防逆流電路。?

背景技術(shù)

電子設(shè)備中廣泛使用電池作為主電源或者備用電源，直流電源提供充電的同時(shí)也與電池一起并聯(lián)對(duì)主電路直接供電，這樣存在多路電源同時(shí)供電情況。多路電源同時(shí)存在由于各路輸出電壓不相同，輸出電壓高的電源會(huì)對(duì)輸出電壓低的電源產(chǎn)生倒灌，電壓低的電源形成反向的逆向電流，當(dāng)壓差超出一定范圍時(shí)，會(huì)損壞電源。?

最為傳統(tǒng)的防逆流是采用二極管隔離方式，二極管單向?qū)ㄐ阅芎芎玫胤乐馆敵鲭妷簩?duì)輸入電壓產(chǎn)生作用。但二極管存在壓降而帶來的各種不便，不適合用于應(yīng)用要求比較高的場合。?

第二種較為常用的方案是采用金屬氧化物半導(dǎo)體（Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱MOS）場效應(yīng)管作為開關(guān)電路，特別是在低壓降電壓穩(wěn)壓器（low?dropout?regulator，簡稱LDO）中。在這種方案中，MOS管襯底單獨(dú)接出，需采用多個(gè)開關(guān)電路切換防止正偏，控制起來極其復(fù)雜，且通常MOS管襯底是與源極接在一起無法進(jìn)行控制。另一方面，輸入輸出需要采用電壓比較器實(shí)現(xiàn)，電壓比較器需要額外的電源供電，實(shí)現(xiàn)起來較為復(fù)雜。?

發(fā)明內(nèi)容

從而本實(shí)用新型提供了一種防逆流電路，用于在多路電源存在時(shí)，實(shí)現(xiàn)逆流保護(hù)。?

本實(shí)用新型所提供的一種防逆流電路，包括：?

串聯(lián)的第一MOS器件和第二MOS器件，以及與所述第一MOS器件和第二MOS器件連接的開關(guān)控制電路；?

其中，所述第一MOS器件的源極與漏極中的一個(gè)極與所述第二MOS器件的源極與漏極中的一個(gè)極連接，所述第一MOS器件的襯底與電壓輸入端連接，所述第二MOS器件的襯底與電壓輸出端連接；?

當(dāng)所述電壓輸出端的電壓高于所述電壓輸入端的電壓時(shí)，所述第一MOS?器件和第二MOS器件截止；當(dāng)所述電壓輸出端的電壓低于所述電壓輸入端的電壓時(shí)，所述第一MOS器件和第二MOS器件導(dǎo)通。?

進(jìn)一步地，所述開關(guān)控制電路分別與使能控制端和所述電壓輸出端連接，且所述開關(guān)控制電路包括開關(guān)控制器和電壓比較器，進(jìn)而所述開關(guān)控制器分別與所述第一MOS器件的柵極和所述第二MOS器件的柵極連接，所述電壓比較器分別與所述第一MOS器件的柵極和第二MOS器件的柵極連接，所述電壓比較器還與所述電壓輸出端連接。?

進(jìn)一步地，所述開關(guān)控制器可為PNP三極管，進(jìn)而所述PNP三極管的基極與所述使能控制端連接，所述PNP三極管的集電極與所述第一MOS器件的柵極和所述第二MOS器件的柵極連接。?

進(jìn)一步地，所述電壓比較器可為PNP三極管，進(jìn)而所述PNP三極管的集電極與所述第一MOS器件的柵極和第二MOS器件的柵極連接，所述PNP三極管的基極與所述電壓輸入端連接，所述PNP三極管的發(fā)射極與所述電壓輸出端連接。?

從以上技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：?

本實(shí)用新型采用串聯(lián)的第一MOS器件和第二MOS器件，即第一MOS器件的源極與漏極中的一極和第二MOS器件的源極與漏極中的一極連接，并加以利用MOS器件的源極和漏極可互換，可以消除MOS器件襯底二極管正偏產(chǎn)生的影響，防止逆流。所述第一MOS器件和第二MOS器件與開關(guān)控制電路連接，所述第一MOS器件的襯底與電壓輸入端連接，所述第二MOS器件的襯底與電壓輸出端連接，當(dāng)所述電壓輸出端的電壓低于所述電壓輸入端的電壓時(shí)，所述第一MOS器件和第二MOS器件導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓輸出端的電壓高于所述電壓輸入端的電壓時(shí)，所述第一MOS器件和第二MOS器件截止，有效防止產(chǎn)生逆流倒灌電流。?

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面將對(duì)本實(shí)用新型中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。?

圖1為本實(shí)用新型防逆流電路中防逆流電路示意圖；?

圖2為本實(shí)用新型防逆流電路的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖3為本實(shí)用新型防逆流電路的應(yīng)用示意圖。?

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型的附圖，對(duì)本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。?