[實用新型]離子注入裝置的基板傳輸結構有效
| 申請號： | 201320034834.5 | 申請日： | 2013-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN203055883U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 李惠元;趙大庸 | 申請（專利權）人： | 四川虹視顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/677 | 分類號： | H01L21/677;H01J37/317 |
| 代理公司： | 成都虹橋專利事務所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 孫恩源 |
| 地址： | 611731 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 裝置 傳輸 結構 | ||
【權利要求書】：
1.離子注入裝置的基板傳輸結構，包括布置在同一平面上的至少兩組軌道（5）及對應可沿軌道（5）移動的基板輸送裝置（4），其特征是：所述的各條軌道（5）在與所述離子注入裝置（1）對應的離子注入工位（10）交會。
2.如權利要求1所述的離子注入裝置的基板傳輸結構，其特征是：所述各條軌道（5）的送進工位（9）相互平行并間隔設置。
3.如權利要求1或2所述的離子注入裝置的基板傳輸結構，其特征是：所述各條軌道（5）的送出工位（11）相互平行并間隔設置。
4.如權利要求1或2所述的離子注入裝置的基板傳輸結構，其特征是：所述的基板輸送裝置（4）由至少三個首尾相連且可彼此相對轉動的節狀部件（6）組成，基板固定結構（8）通過中心支座（7）與基板輸送裝置（4）連接。
5.如權利要求4所述的離子注入裝置的基板傳輸結構，其特征是：所述中心支座（7）位于中間的節狀部件（6）上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
