[實用新型]一種低功耗高增益的上混頻器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320031759.7
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN203278746U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李智群;吳晨健;陳亮;張萌;王志功
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學
• 主分類號: H03D7/12
• 分類號: H03D7/12
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種低功耗高增益的上混頻器，其特征在于：設(shè)有電流源單元、輸入跨導單元、開關(guān)單元、負載單元以及電流注入單元，電流源單元的輸出連接輸入跨導單元，輸入跨導單元放大信號并通過正反饋增強信號，然后分別輸出至開關(guān)單元和電流注入單元，開關(guān)單元的輸出連接負載單元，差分射頻輸出信號從負載單元與開關(guān)單元之間輸出，差分基帶或者中頻信號輸入至輸入跨導單元與電流源單元之間，本振輸入信號輸入至開關(guān)單元，其中：

電流源單元包括NMOS管M1和NMOS管M2，NMOS管M1和NMOS管M2的源極接地，柵極連接偏置電壓V_b1，漏極連接分別連接差分基帶或者中頻信號的正負兩端；

輸入跨導單元包括NMOS管M3和NMOS管M4，NMOS管M3和NMOS管M4的源極分別與電流源單元的NMOS管M1和NMOS管M2的漏極連接，基帶或中頻信號的正輸入端從NMOS管M3的源極輸入，基帶或中頻信號的負輸入端從NMOS管M4的源極輸入，NMOS管M3的柵極連接至NMOS管M4的漏極，NMOS管M4的柵極連接至NMOS管M3的漏極；

開關(guān)單元包括NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、電阻R1、電阻R2，NMOS管M5和NMOS管M8的柵極互連并通過串聯(lián)電阻R2連接電源電壓V_dd，NMOS管M6和NMOS管M7的柵極互連并通過串聯(lián)電阻R1連接電源電壓V_dd，NMOS管M5和NMOS管M6的源極互連并連接輸入跨導單元的NMOS管M3的漏極，NMOS管M7和NMOS管M8的源極互連并連接輸入跨導單元的NMOS管M4的漏極，NMOS管M5的漏極與NMOS管M7的漏極互連，NMOS管M6的漏極與NMOS管M8的漏極互連，本振輸入信號正端連接NMOS管M5和NMOS管M8的柵極，本振輸入信號負端連接NMOS管M6和NMOS管M7的柵極；

負載單元包括PMOS管M9、PMOS管M10、電感L1、電容C1、電感L2、電容C2，PMOS管M9的漏極與開關(guān)單元的NMOS管M5和NMOS管M7的漏極連接并作為上混頻器的信號正輸出端，PMOS管M10的漏極與開關(guān)單元的NMOS管M6和NMOS管M8的漏極連接并作為上混頻器的信號負輸出端，PMOS管M9的柵極連接PMOS管M10的漏極，PMOS管M10的柵極連接PMOS管M9的漏極，電感L1與電容C1并聯(lián)，它們的一端與電源電壓V_dd連接，另一端與PMOS管M9的源極連接，電感L2與電容C2并聯(lián)，它們的一端與電源電壓V_dd連接，另一端與PMOS管M10的源極連接；

電流注入單元包括PMOS管M11和PMOS管M12，PMOS管M11和PMOS管M12的柵極連接至偏置電壓V_b2，PMOS管M11的漏極與輸入跨導單元NMOS管M3的漏極、NMOS管M4的柵極以及開關(guān)單元NMOS管M5和NMOS管M6的源極連接，PMOS管M12的漏極與輸入跨導單元NMOS管M4的漏極、NMOS管M3的柵極以及開關(guān)單元NMOS管M7和NMOS管M8的源極連接，PMOS管M11和PMOS管M12的源極與電源電壓V_dd連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功耗高增益的上混頻器，電路中的場效應管能夠用雙極型晶體管實現(xiàn)，只需要將NMOS管替換成NPN型三極管，PMOS管替換成PNP型三極管。