[實用新型]一種LED芯片

有效

• 申請號: 201320031748.9
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN203071119U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 馬青會
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;鄭雋

技術領域

本實用新型涉及LED技術領域，特別地，涉及一種LED芯片。

背景技術

作為目前全球最受矚目的新一代光源，LED因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優點，被稱為是21世紀最有發展前景的綠色照明光源。隨著全球LED市場需求的進一步加大，未來我國LED產業發展面臨巨大機遇。

從芯片來看，目前最普遍的是水平式芯片,比較高端的廠商則研發垂直式芯片與覆晶型芯片，原先水平式LED使用藍寶石基板，散熱能力較差，且在高電流驅動下，光取出效率下降幅度也較大。因此，為了降低LED成本，高電流密度的芯片設計便以獲取更多的光輸出為主要研究方向，在這樣的考慮下，使用垂直式封裝的芯片便成為下一課題，此類芯片使用硅等高散熱基板，在高電流操作下有更好的散熱效率，所以也有更高的光輸出，但由于制作流程復雜，工藝良率過低，以致于無法達到理想的高性價比。

因此，提升芯片良率是行業內的共同技術需求。

實用新型內容

本實用新型目的在于提供一種LED芯片，以解決業內芯片良率過低的技術問題。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種LED芯片，在芯片正面設置有白膜和鐵環，所述鐵環相接觸芯片；所述芯片背面設置有麥拉膜，所述麥拉膜的厚度為70—80μm。

優選的，所述芯片規格為7*9mil。

優選的，所述芯片厚度為95±3μm，所述芯片背面的紫外線切割深度為所述芯片厚度的25-35%。

優選的，所述紫外線切痕為V型。

本實用新型具有以下有益效果：本實用新型的在芯片背面增設了70--80μm的麥拉膜，增強芯片的抗劈裂性；從而在研磨--拋光--紫外切割--劈裂的工藝過程中，使得芯片劈裂后的外觀良率提升5%。

除了上面所描述的目的、特征和優點之外，本實用新型還有其它的目的、特征和優點。下面將參照圖，對本實用新型作進一步詳細的說明。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1是本實用新型優選實施例的結構示意圖；

圖2是本實用新型優選實施例的劈裂試驗原理示意圖；

其中，1、白膜，2、鐵環，3、芯片，4、麥拉膜，5、劈裂刀，6、擊錘。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的實施例進行詳細說明，但是本實用新型可以根據權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。

參見圖1，一種LED芯片，在芯3正面設置有白膜1和鐵環2，所述鐵環2相接觸芯片3；所述芯片3背面設置有麥拉膜4，所述麥拉膜4的厚度為70—80μm。

麥拉膜4又稱麥拉紙或者絕緣帶，是一種聚酯薄膜，常用于電機線圈的捆扎。本實用新型將其貼在芯片背面，使用正恩劈裂機完成劈裂試驗。

在進行該芯片的劈裂試驗前，使用NTS研磨、拋光設備把芯片加工至95±3μm，并在芯片背面切割深度為30±3μm“V”型切痕，而后在芯片背表面貼上70—80μm麥拉膜。參見圖2，再利用劈裂機擊錘6垂直下落至劈裂刀5，對芯片3造成沖擊，記錄統計沖擊后外觀保持完好的芯片數量。

將同一制令的400片芯片，一分為二各200片，采用四種不同的厚度的麥拉膜進行劈裂對比，試驗結果顯示：使用厚度為70-80μm麥拉膜的外觀良率提高5%左右，具體數據參見下表。

優選的，所述芯片3規格為7*9mil（為0.1778-0.2286mm）。芯片越小，越易受到外力壓迫而發生質量問題，而本實用新型針對于小規模的芯片效果突出。

所述芯片3厚度為95±3μm，所述芯片3背面的紫外線切割深度為所述芯片3厚度的25-35%；不損傷芯片3電路和主體結構，也不影響產品外觀。

以上所述僅為本實用新型的優選實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領域的技術人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。