[實(shí)用新型]一種ROM存儲器及其版圖

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320030505.3
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN203118490U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于躍;鄭堅斌
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州兆芯半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: G11C17/12
• 分類號: G11C17/12;H01L27/112
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種ROM存儲器及其版圖。

背景技術(shù)

在電子計算機(jī)以及其他一些數(shù)字系統(tǒng)的工作過程中，需要對大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。因此，存儲器也就成了這些數(shù)字系統(tǒng)不可缺少的組成部分。

現(xiàn)有的存儲器種類很多，從存、取功能上可以分為只讀存儲器（Read-Only?Memory，簡稱ROM）和隨機(jī)存儲器（Read?Access?Memory，簡稱RAM）兩大類。

其中，只讀存儲器在正常工作狀態(tài)下只能從中讀取數(shù)據(jù)，斷電以后數(shù)據(jù)不會消失。傳統(tǒng)ROM有一個或多個MOS管構(gòu)成，并以一個MOS管作為基本存儲單元。在每個基本存儲單元中，MOS管的柵極連接字線，漏極連接位線，源極接地，通過位線與MOS管漏極的連通狀態(tài)來控制MOS管的開關(guān)狀態(tài)，從而存儲信息。

由于工藝規(guī)則的限制，ROM基本存儲單元的面積無法做到跟隨工藝尺寸成比例縮小，而且一個基本存儲單元只能存儲1比特信息，單位信息的存儲面積偏大。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種ROM存儲器及其版圖，以降低單位信息的存儲面積。

該ROM存儲器包括：至少一個MOS管、位線和字線，其中，每個MOS管的漏極對應(yīng)著至少兩條位線。

優(yōu)選的，所述ROM存儲器包括一個MOS管和三條位線。

優(yōu)選的，所述ROM存儲器包括兩個MOS管和三條位線，且每個MOS管的漏極對應(yīng)著三條位線。

優(yōu)選的，所述兩個MOS管共用源極，且所述源極接地

優(yōu)選的，所述ROM存儲器包括兩個MOS管和四條位線，且每個MOS管的漏極對應(yīng)著兩條位線。

優(yōu)選的，所述兩個MOS管的柵極連接同一字線。

優(yōu)選的，所述ROM存儲器包括至少四個以陣列方式排布的MOS管；

其中，沿第一方向的同一行MOS管的柵極連接同一字線；

沿第二方向的同一列MOS管中，相鄰的兩個MOS管共用源極，且沿第二方向的同一列MOS管的漏極對應(yīng)著兩條位線。

優(yōu)選的，所述第一方向和第二方向垂直。

一種ROM存儲器版圖，包括至少一個MOS管區(qū)、字線區(qū)和位線區(qū)，其中，至少兩個位線區(qū)與一個MOS管區(qū)的漏極金屬區(qū)交疊。

優(yōu)選的，所述漏極金屬區(qū)沿第一方向延伸，且位于MOS管區(qū)的漏極區(qū)內(nèi)。

優(yōu)選的，所述位線區(qū)沿第二方向延伸。

由上述方案可以看出，本實(shí)用新型所提供的ROM存儲器，包括：至少一個MOS管、位線和字線，其中，每個MOS管對應(yīng)著至少兩條位線，而兩條或兩條以上的位線與MOS管的連接狀態(tài)可以使MOS管存儲兩種以上的狀態(tài)信息。即在ROM存儲器面積一定的前提下，通過增加位線區(qū)的數(shù)目，可以使ROM存儲器的一個MOS管可編程的信息大于1比特，相應(yīng)的降低了1比特信息的存儲面積。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種ROM存儲器電路示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種ROM存儲器版圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的另一種ROM存儲器電路示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的另一種ROM存儲器版圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的又一種ROM存儲器電路示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的又一種ROM存儲器版圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的又一種ROM存儲器電路示意圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的又一種ROM存儲器版圖；

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的又一種ROM存儲器電路示意圖；

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的又一種ROM存儲器版圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一：

本實(shí)施例提供了一種ROM存儲器，包括：至少一個MOS管、位線和字線，其中，如圖1所示，每個MOS管的漏極對應(yīng)著至少兩條位線BL，所述MOS管的柵極與字線WL相連，所述MOS管的源極接地。

兩條或兩條以上的位線與MOS管的連接狀態(tài)可以使MOS管存儲兩種以上的狀態(tài)信息。即在ROM存儲器面積一定的前提下，通過增加位線區(qū)的數(shù)目，可以使ROM存儲器的一個MOS管可編程的信息大于1比特，相應(yīng)的降低了1比特信息的存儲面積。

實(shí)施例二：