[實用新型]基于超級結的氮化鎵HEMT器件

有效

• 申請號: 201320030306.2
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN203118954U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 李海鷗;黃偉;吳笑峰;李思敏;首照宇;于宗光;李琦;胡仕剛;鄧洪高
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.基于超級結的氮化鎵HEMT器件，其主要由藍寶石襯底（1）、AlN層（2）、GaN層（3）、AlGaN層（4）、源極（5）、漏極（6）和柵極（7）組成；其中藍寶石襯底（1）、AlN層（2）、GaN層（3）和AlGaN層（4）自下而上依次疊放，源極（5）、漏極（6）和柵極（7）則分布位于AlGaN層（4）的上方；其特征在于：所述漏極（6）和柵極（7）之間設有至少一個F離子處理形成的超級結區（8），該超級結區（8）從AlGaN層（4）的上表面一直嵌入延伸至AlGaN層（4）的下部或GaN層（3）的上部。

2.根據權利要求1所述基于超級結的氮化鎵HEMT器件，其特征在于：超級結區（8）分布在靠近柵極（7）的一側。

3.根據權利要求1所述基于超級結的氮化鎵HEMT器件，其特征在于：超級結區（8）的橫向寬度為1～3um。