[實用新型]一種基于外延技術的三維集成功率半導體有效

申請號：	201320029728.8	申請日：	2013-01-21
公開（公告）號：	CN203225250U	公開（公告）日：	2013-10-02
發明（設計）人：	傅興華;馬奎;楊發順;林潔馨	申請（專利權）人：	貴州大學
主分類號：	H01L27/06	分類號：	H01L27/06;H01L29/78;H01L29/06
代理公司：	貴陽中新專利商標事務所 52100	代理人：	吳無懼
地址：	550025 貴州***	國省代碼：	貴州;52
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種基于外延技術三維集成功率半導體
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【權利要求書】：

1.一種基于外延技術的三維集成功率半導體，其特征在于：所述集成功率半導體從下至上依次包括重摻雜N型硅片、第一層輕摻雜N型外延層、第二層輕摻雜N型外延層和第三層輕摻雜N型外延層，第二層輕摻雜N型外延層和第三層輕摻雜N型外延層之間包含P_bulk層，P_bulk層上方的第三層輕摻雜N型外延層中包含PBL、P_sink區和N_sink區，第二、三層輕摻雜N型外延層中有填充槽，槽內為填充介質。

2.根據權利要求1所述的一種基于外延技術的三維集成功率半導體，其特征在于：填充槽內為SiO₂或SiO₂和多晶硅的疊合結構。

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