[實用新型]芯片偵測單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320028916.9 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN203038917U | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李伯海;孫艷輝;張冠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 偵測 單元 | ||
1.一種芯片偵測單元，其特征在于，包括圍繞芯片的多個第一金屬列以及圍繞所述多個第一金屬列的多個第二金屬列，所述第一金屬列包括多層第一金屬線，所述第二金屬列包括多層第二金屬線以及連接相鄰的第二金屬線的通孔連線，所述第一金屬線和第二金屬線的長度大于所述芯片的邊長。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第一金屬線的寬度大于所述第二金屬線的寬度。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第一金屬線的寬度大于等于0.2μm。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第一金屬線和第二金屬線的層數(shù)相同。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第一金屬線和第二金屬線的材料為銅。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第一金屬列的一層或多層第一金屬線的一端連接至第一焊接區(qū)單元。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第二金屬列的最底層的第二金屬線的一端和最頂層的第二金屬線的另一端分別連接至第二焊接區(qū)單元。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片偵測單元，其特征在于，所述第二金屬列的第二層的第二金屬線的一端和最頂層的第二金屬線的另一端連接至所述第二焊接區(qū)單元。
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