[實用新型]一種高頻感應流體加熱器有效
| 申請號: | 201320025427.8 | 申請日: | 2013-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN203083132U | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 黎忠;謝雷東;傅遠;封自強;張欽華;唐忠鋒;楊新梅;李巖;解明強;鄒欣 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海應用物理研究所 |
| 主分類號: | F24H7/02 | 分類號: | F24H7/02;F24H9/18 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 鄧琪 |
| 地址: | 201800 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高頻 感應 流體 加熱器 | ||
1.一種高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述加熱器包括:
罐體,其具有設置在其底部的進口端的進口法蘭盤以及設置在其頂部的出口端的出口法蘭盤;
與所述出口法蘭盤密封連接的上法蘭盤;
與所述進口法蘭盤密封連接的下法蘭盤;
布置在所述罐體內部的多個石墨球;
設置在所述罐體內并位于所述石墨球上方的上擋板,其表面設有多個上導流孔;
設置在所述罐體內并位于所述石墨球下方的下擋板,其表面設有多個下導流孔;
繞置在所述罐體外緣的中部位置的感應線圈;
從所述上法蘭盤上方伸入所述罐體內部的多個熱電偶;以及
與所述感應線圈以及熱電偶連接的高頻感應發生器。
2.根據權利要求1所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述出口法蘭盤的頂面的中心位置設有上凸臺,所述上法蘭盤的底面設有與所述上凸臺匹配的上凹槽、圍繞該上凹槽的上溝槽以及對稱布置在該上凹槽和上溝槽之間的上進氣通孔和上出氣通孔,其中,所述上凹槽中容置有第一石墨纏繞墊片,所述上溝槽中容置有第一金屬C形密封圈,所述上進氣通孔與上出氣通孔分別通過上保護氣通道與所述上凹槽連通。
3.根據權利要求2所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述上保護氣通道為從所述上凹槽的槽壁連通至所述上進氣通孔和上出氣通孔的靠近所述上凸臺一端開口的倒角結構。
4.根據權利要求1所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述進口法蘭盤的底面的中心位置設有下凸臺,所述下法蘭盤的頂面設有與所述下凸臺匹配的下凹槽、圍繞該下凹槽的下溝槽以及對稱布置在該下凹槽和下溝槽之間的下進氣通孔和下出氣通孔,其中,所述下凹槽中容置有第二石墨纏繞墊片,所述下溝槽中容置有第二金屬C形密封圈,所述下進氣通孔與下出氣通孔分別通過下保護氣通道與所述下凹槽連通。
5.根據權利要求4所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述下保護氣通道為從所述下凹槽的槽壁連通至所述下進氣通孔和下出氣通孔的靠近所述下凸臺一端開口的倒角結構。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述加熱器還包括位于所述出口法蘭盤下方并與所述上法蘭盤固定連接的支撐板,該支撐板的表面上設有用于容置所述罐體的中心通孔。
7.根據權利要求1-5中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述加熱器包括位于所述進口法蘭盤上方并與所述下法蘭盤固定連接的一對相互卡合的法蘭板,該對法蘭板的表面上設有用于容置所述罐體的法蘭通孔,每個所述法蘭板的外緣開設有一與該法蘭板的法蘭通孔連通的U形開口,且所述法蘭板的一表面上設有一配合凸臺,每個所述法蘭板的配合凸臺與另一個法蘭板的U形開口卡合連接。
8.根據權利要求7所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述罐體包括由上至下依次連通的直筒段、錐形段和圓管過渡段,所述石墨球設置在所述直筒段中,所述下擋板設置在所述錐形段中并與該錐形段的內壁形狀配合,所述圓管過渡段容置在所述法蘭板的法蘭通孔中。
9.根據權利要求1-5、8中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述熱電偶的外緣套設有熱電偶密封裝置。
10.根據權利要求1-5、8中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述上擋板通過多個連接桿與所述上法蘭盤固定連接。
11.根據權利要求10所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述上擋板的頂面均布有用于定位所述連接桿的沉孔。
12.根據權利要求1-5、8、11中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述上擋板的邊緣均布有用于容置所述熱電偶的定位口。
13.根據權利要求1-5、8、11中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述上法蘭盤的頂面上連接有一接管,且該接管與所述上法蘭盤的法蘭通孔連通。
14.根據權利要求1-5、8、11中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述下法蘭盤的底面上通過一變徑段與外圍的管道連接,且該外圍的管道與所述下法蘭盤的法蘭通孔連通。
15.根據權利要求1-5、8、11中任意一項所述的高頻感應流體加熱器,其特征在于,所述罐體為碳化硅材料制成的罐體,所述上擋板為高溫鎳基合金材料制成的上擋板,所述下擋板為碳化硅材料制成的下擋板。
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