[實用新型]一種集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320024214.3 | 申請日： | 2013-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN203071074U | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李鐵生 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都芯源系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 集成電路 | ||
1.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路包括：
功率MOSFET，具有漏極、柵極和源極；
JFET，具有漏極、柵極和源極，所述JFET的漏極耦接至所述功率MOSFET的漏極，所述JFET和功率MOSFET共用所述集成電路的襯底上的漂移區(qū)；
檢測引腳，耦接至所述JFET的源極；
源極引腳，耦接至所述功率MOSFET的源極；
柵極引腳，耦接至所述功率MOSFET的柵極；
漏極引腳，耦接至所述功率MOSFET的漏極和所述JFET的漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路的封裝為四端子的小外型集成電路封裝。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路只包括所述JFET和所述功率MOSFET。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述JFET和所述功率MOSFET均為垂直型器件，所述集成電路的襯底作為所述JFET和所述功率MOSFET的漏極。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述JFET和所述功率MOSFET的漂移區(qū)包括形成在集成電路的襯底上的外延層。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述襯底包括N型硅襯底。
7.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路包括：
功率MOSFET；
JFET，與所述功率MOSFET共用襯底上的漂移區(qū)；
檢測引腳，經(jīng)由所述JFET耦接至所述功率MOSFET的漏極，所述檢測引腳為所述集成電路的外部引腳，該檢測引腳允許外部電路檢測所述功率MOSFET的漏極電壓；
柵極引腳，耦接至功率MOSFET的柵極，所述柵極引腳為所述集成電路的外部引腳。
8.如權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述功率MOSFET和所述JFET均為垂直型溝槽柵晶體管。
9.如權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述漂移區(qū)包括形成在襯底上的外延層。
10.如權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路只包括所述JFET和所述功率MOSFET。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
